[实用新型]一种治具

说明书

本实用新型公开了一种治具，属于光通讯技术领域。本实用新型的治具包括：基底，所述基底上设有用于与旋涂机对接的中心通孔；定位环，所述定位环设于所述基底上，并环绕所述中心通孔设置，自所述定位环的内圈向所述定位环远离所述基底一侧的端面形成有第一定位台阶，所述第一定位台阶沿所述定位环的周向方向设置，用于承载并定位圆形晶圆。本实用新型的治具能够快速、精准的放置晶圆，保证晶圆旋涂的质量和效果。

技术领域

本实用新型涉及光通讯技术领域，具体涉及一种治具。

背景技术

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

其中，在中多工序中，旋涂光刻胶、显影等工艺需要快速且精确的上下晶圆硅片，晶圆放置的是否居中，直接影响旋涂的质量及效果，但是在生产操作中，只能靠镊子夹取放置，往往难以达到以上要求。

实用新型内容

为了解决现有技术的不足或者至少部分地解决现有技术的不足，本实用新型实施例提供一种治具，以确保晶圆放置的精准且快速。

可选地，包括：

基底，所述基底上设有用于与旋涂机对接的中心通孔；

定位环，所述定位环设于所述基底上，并环绕所述中心通孔设置，自所述定位环的内圈向所述定位环远离所述基底一侧的端面形成有第一定位台阶，所述第一定位台阶沿所述定位环的周向方向设置，用于承载并定位圆形晶圆。

可选地，所述基底呈半圆形，所述中心通孔为圆心与所述基底重合的半圆形通孔；

所述定位环的圆心与所述中心通孔的圆心重合，所述定位环的圆心角大于180度且小于360度。

可选地,所述基底的第一端到所述定位环的第一端之间的圆心角与所述基底的第二端到所述定位环的第二端之间的圆心角相等。

可选地，所述定位环的内圈与所述中心通孔之间具有预设的间距。

可选地，所述定位环上还设有用于承载并定位半圆形晶圆的第二定位台阶，所述第二定位台阶包括：

圆弧段，所述圆弧段与半圆形晶圆的圆周边相匹配，用于定位半圆形晶圆的圆周边；

直线段，所述直线段与半圆形晶圆的直线边相匹配，用于定位半圆形晶圆的直线边。

可选地，所述直线段位于所述中心通孔远离所述基底的一侧，且所述直线段与所述中心通孔的圆心之间具有预设的距离。

可选地，所述第二定位台阶的高度小于所述第一定位台阶的高度。

可选地，所述治具还包括手柄，所述手柄沿垂直于所述基底的端面的方向设置，并与所述基底固定连接。

可选地，所述基底的第一端到所述手柄之间的圆心角等于所述基底的第二端到所述手柄之间的圆心角。

可选地，所述基底、所述定位环一体成型。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提供一种治具，包括：基底，所述基底上设有用于与旋涂机对接的中心通孔；定位环，所述定位环设于所述基底上，并环绕所述中心通孔设置，自所述定位环的内圈向所述定位环远离所述基底一侧的端面形成有第一定位台阶，所述第一定位台阶沿所述定位环的周向方向设置，用于承载并定位圆形晶圆。本实用新型的治具，通过中心通孔能够快速与旋涂机对接，通过第一定位台阶实现对圆形晶圆的定位，以保证快速、精确的放置圆形晶圆。

附图说明

本实用新型上述和/或附加方面的优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：