[实用新型]多晶硅铸锭设备有效
申请号: | 201922485452.4 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN211734535U | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 周华;孔令珂;陶能松;黄福龙;张学日;吴纯 | 申请(专利权)人: | 江西中材新材料有限公司;中材江苏太阳能新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/06;G01B11/06;G01B11/14 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 344000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 铸锭 设备 | ||
本实用新型实施方式提供一种多晶硅铸锭设备。所述多晶硅铸锭设备包括坩埚、光源、及光线检测装置。所述坩埚具有收容腔,所述坩埚在所述收容腔的内壁上附设有氮化硅涂层。所述光源及所述光线检测装置分别设置于收容腔的内侧和外侧,或者分别设置于外侧和内侧。所述光源朝所述氮化硅涂层发射初始光线,所述初始光线经过所述氮化硅涂层后形成检测光线,所述检测光线传导至所述光线检测装置。所述光线检测装置接收检测光线,并根据所述检测光线判断所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度。所述多晶硅铸锭设备及多晶硅铸锭方法检测氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的精准度更高。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅铸锭工艺领域,尤其涉及多晶硅铸锭设备。
背景技术
在多晶硅铸锭工艺中,往往会在多晶硅铸锭设备中的坩埚内壁形成一层达到指定厚度的氮化硅涂层,通过氮化硅涂层的隔离作用来提高多晶硅铸锭出锭的质量。然而,目前的多晶硅铸锭设备无法检测氮化硅涂层的厚度,只能通过肉眼观察的方式来检测检测氮化硅涂层的厚度是否达到指定厚度。
实用新型内容
本实用新型提供一种多晶硅铸锭设备,所述多晶硅铸锭设备检测氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的精准度更高。
所述多晶硅铸锭设备包括坩埚、光源、及光线检测装置。所述坩埚具有收容腔,所述坩埚在所述收容腔的内壁上附设有氮化硅涂层。所述光源及所述光线检测装置分别设置于收容腔的内侧和外侧,或者分别设置于外侧和内侧。所述光源朝所述氮化硅涂层发射初始光线,所述初始光线经过所述氮化硅涂层后形成检测光线,所述检测光线传导至所述光线检测装置。所述光线检测装置接收检测光线,并根据所述检测光线判断所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度。通过光线检测装置接收检测光线,并根据检测光线判断所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度,提高了检测所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的精准度,提高了检测所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的效率。
进一步地,所述多晶硅铸锭设备包括本体,所述本体具有收容槽,所述收容槽收容所述坩埚、所述光源、及所述光线检测装置,所述光线检测装置设置在所述收容腔内,所述光源位于收容腔外,并连接于所述收容槽的内壁。
进一步地,所述多晶硅铸锭装置还包括支撑架,所述支撑架固定于所述收容槽内,所述支撑架支撑所述坩埚。
进一步地,所述多晶硅铸锭设备还包括密封罩,所述密封罩盖接所述本体,并密封所述收容槽的开口,以防止光线经所述收容槽的开口传至所述收容槽内。
进一步地,所述密封罩设有坩埚密封罩,所述坩埚密封罩盖接所述坩埚,并密封所述坩埚的开口,以防止光线经所述收容腔的开口传至所述收容腔内。
进一步地,所述密封罩还包括与所述坩埚密封罩相连的光源密封罩,所述光源密封罩密封连接在所述坩埚和所述本体之间,以密封所述坩埚和所述本体之间的开口。
进一步地,所述光线检测装置固定连接所述坩埚密封罩靠近所述收容槽内壁的一侧。
进一步地,所述内壁包括底壁和与所述底壁相连的侧壁,所述多晶硅铸锭设备包括滑动装置,所述滑动装置包括滑动基座和与所述滑动基座相连的固定部,所述滑动基座滑动连接于所述坩埚密封罩靠近所述底壁的一侧,所述固定部固定连接所述光线检测装置,所述滑动基座可滑近所述侧壁或者滑离所述侧壁,以带动所述光线检测装置滑近所述侧壁或所述滑离所述侧壁。
进一步地,所述滑动装置还包括连接于所述滑动基座和所述固定部之间的伸缩部,所述伸缩部可沿靠近所述底壁的方向延伸或者沿背离所述底壁的方向收缩,以带动所述光线检测装置滑向所述底壁或者滑离所述底壁。
进一步地,所述多晶硅铸锭设备还包括处理器和电机,所述处理器与所述电机电连接,所述电机与所述滑动基座及所述伸缩部连接,所述处理器发出控制指令至所述电机,所述电机接收到所述控制指令后向所述滑动基座和所述伸缩部输出扭矩,以驱动所述滑动基座滑动和驱动所述伸缩部伸缩。
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