[实用新型]晶圆级SIP模组结构

说明书

本实用新型提供一种晶圆级SIP模组结构，包括：第一塑封层；导电柱，位于第一塑封层内；芯片，位于第一塑封层内；重新布线层，位于第一塑封层的上表面，且与导电柱及芯片电连接；第二塑封层，位于重新布线层的上表面；连接器，位于重新布线层的上表面，且位于第二塑封层内；连接器与重新布线层电连接；焊料凸块，位于第一塑封层的下表面，且与导电柱电连接。本实用新型的晶圆级SIP模组结构可以实现正面晶圆作业工艺，均匀性较好；正反两面导通工序简单，可以根据实际需要设定不同尺寸的导电柱；导电柱之间的间隙较小，集成度高；重新布线层可以为多层堆叠结构，可以根据实际需要调整重新布线层中金属线层的层数及厚度。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，特别是涉及一种晶圆级SIP模组结构。

背景技术

在半导体行业中，系统级封装(SIP，System In Package)模组主要是将多种功能芯片集成在一个封装内，达到功能整合的目的。

现有的系统级封装模组存在正反两面导通的工序复杂、实现度低、封装结构厚度较大、尺寸较大等问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆级SIP模组结构，用于解决现有技术中的晶圆级SIP模组结构存在正反两面导通的工序复杂、实现度低、封装结构厚度较大、尺寸较大等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆级SIP模组结构的制备方法，所述晶圆级SIP模组结构的制备方法包括如下步骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成导电柱；

提供芯片，将所述芯片贴置于所述衬底上；

于所述衬底上形成第一塑封层，所述第一塑封层将所述导电柱及所述芯片塑封；

于所述第一塑封层的上表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述导电柱及所述芯片电连接；

提供连接器，将所述连接器贴置于所述重新布线层的上表面，所述连接器与所述重新布线层电连接；

于所述重新布线层的上表面形成第二塑封层，所述第二塑封层将所述连接器封裹塑封；

去除所述衬底；及

于所述第一塑封层的下方形成焊料凸块，所述焊料凸块与所述导电柱电连接。

可选地，于所述衬底上形成所述导电柱之前还包括如下步骤：

于所述衬底的上表面形成剥离层；

于所述剥离层的上表面形成底层介质层；及

于所述底层介质层的上表面形成种子层；

所述导电柱形成于所述种子层的上表面。

可选地，于所述衬底上形成所述导电柱包括如下步骤：

于所述种子层的上表面形成掩膜层；

对所述掩膜层进行图形化处理，以得到图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内形成有开口图形，所述开口图形暴露出所述种子层且定义出所述导电柱的位置及形状；

于所述开口图形内形成所述导电柱；

去除所述图形化掩膜层，并去除暴露出的所述种子层。

可选地，将所述芯片贴置于所述衬底上之后且形成所述第一塑封层之前还包括于所述芯片的上表面形成芯片引出结构；所述芯片经由所述芯片引出结构与所述重新布线层电连接：所述第一塑封层将所述导电柱、所述芯片及所述芯片引出结构塑封。

可选地，将所述连接器贴置于所述重新布线层的上表面包括如下步骤：