[实用新型]晶圆级SIP模组结构有效
| 申请号： | 201922471799.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211088268U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 sip 模组 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆级SIP模组结构，其特征在于，包括：
第一塑封层；
导电柱，位于所述第一塑封层内；
芯片，位于所述第一塑封层内；
重新布线层，位于所述第一塑封层的上表面，且与所述导电柱及所述芯片电连接；
第二塑封层，位于所述重新布线层的上表面；
连接器，位于所述重新布线层的上表面，且位于所述第二塑封层内；所述连接器与所述重新布线层电连接；及
焊料凸块，位于所述第一塑封层的下表面，且与所述导电柱电连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆级SIP模组结构，其特征在于，所述晶圆级SIP模组结构还包括：
种子层，位于所述第一塑封层内，且位于所述导电柱的下表面；
底层介质层，位于所述第一塑封层的下表面，所述底层介质层内形成有开口，所述开口暴露出所述种子层；所述焊料凸块位于所述开口内，且经由所述种子层与所述导电柱电连接。
3.根据权利要求1所述的晶圆级SIP模组结构，其特征在于，所述晶圆级SIP模组结构还包括芯片引出结构，所述芯片引出结构位于所述第一塑封层内，且位于所述芯片的上表面；所述芯片经由所述芯片引出结构与所述重新布线层电连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆级SIP模组结构，其特征在于，所述晶圆级SIP模组结构还包括屏蔽层，所述屏蔽层包覆所述第二塑封层的上表面及侧壁、所述重新布线层的侧壁及所述第一塑封层的侧壁。
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