[实用新型]一种可控硅模块有效
申请号: | 201922416810.6 | 申请日: | 2019-12-29 |
公开(公告)号: | CN211088255U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 罗文华;陈华军 | 申请(专利权)人: | 昆山晶佰源半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可控硅 模块 | ||
本实用新型公开了一种可控硅模块,包括底座,所述底座上固定有模块内组件,所述模块内组件上焊接有GK极引线,所述底座上安装有壳体,所述壳体内设置有外部GK电极和连接头,所述GK极引线穿过连接头的通孔与外部GK电极连接。本实用新型,一次真空高温共晶工艺,产品空洞小,热阻低;内部GK电极内部无需人工焊引出线,可靠性高;产品制作工序少,过程控制简单,人工成本低;整个产品焊接工艺先进,装配工序简单,成本低,品质可靠。
技术领域
本实用新型涉及可控硅模块技术领域,具体是一种可控硅模块。
背景技术
功率模块是现代电力电子向集成化、微型化发展所必须的电子器件,是电力电子技术发展的一个方向,近年来每年都以20%的速度递增,而且发展趋势仍在继续上升。功率模块是电力电子线路和控制系统的核心器件,它的性能参数直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。可控硅功率模块属于功率半导体产品,如果在制造过程中由于制作工艺过于复杂,将造成产品性能下降可靠性降低,而可控硅模块生产过程中焊接工艺的把控和GK极引线如何处理是行业的一个难点,所以改善了焊接工艺和GK极引线的引出方式便可生产出高可靠性的可控硅模块产品。
国内TO-240AA功率模块目前一直采用两种模式:(一)组件式芯片焊接:买现成的已烧结好上下钼片的芯片作为组件,与其他金属件通过涂覆焊锡膏的方式用热板或其它加热工具将其焊接在一起,GK极引线用高温绝缘线用电烙铁与芯片上Gk极焊接。此工工艺芯片通过多次焊接,多次热应力影响会造成可靠性降低。焊锡膏工艺,产品空洞率增加,热阻大,同时阻焊剂残留需使用清洗剂清洗,由此又会带来相应的环境问题。(二)铝丝键合工艺:裸片与DBC板焊接后,用绑定机打铝线, GK线用长的细引线引出,需要多次焊接,工艺复杂且铝丝过载能力差,影响产品品质。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可控硅模块,以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种可控硅模块,包括底座,所述底座上固定有模块内组件,所述模块内组件上焊接有GK极引线,所述底座上安装有壳体,所述壳体内设置有外部GK电极和连接头,所述GK极引线穿过连接头的通孔与外部GK电极连接。
优选的,所述模块内组件上共焊接有4根GK极引线,所述GK极引线采用细铜线。
优选的,所述外部GK电极共设置有4个,4个外部GK电极分别对应4根GK极引线。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:一次真空高温共晶工艺 ,产品空洞小,热阻低;内部GK电极内部无需人工焊引出线,可靠性高;产品制作工序少,过程控制简单,人工成本低;整个产品焊接工艺先进,装配工序简单,成本低,品质可靠。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型壳体和外部GK电极处的结构示意图。
图中:1、底座;2、模块内组件;3、GK极引线;4、壳体;5、外部GK电极;6、连接头。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山晶佰源半导体科技有限公司,未经昆山晶佰源半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922416810.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高耐热高韧性的充电器外壳
- 下一篇:一种Mini-LED结构