[实用新型]一种可控硅模块有效
| 申请号： | 201922416810.6 | 申请日： | 2019-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN211088255U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 罗文华;陈华军 | 申请（专利权）人： | 昆山晶佰源半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 模块 | ||
【权利要求书】：
1.一种可控硅模块，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）上固定有模块内组件（2），所述模块内组件（2）上焊接有GK极引线（3），所述底座（1）上安装有壳体（4），所述壳体（4）内设置有外部GK电极（5）和连接头（6），所述GK极引线（3）穿过连接头（6）的通孔与外部GK电极（5）连接。
2.根据权利要求1所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述模块内组件（2）上共焊接有4根GK极引线（3），所述GK极引线（3）采用细铜线。
3.根据权利要求2所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述外部GK电极（5）共设置有4个，4个外部GK电极（5）分别对应4根GK极引线（3）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山晶佰源半导体科技有限公司，未经昆山晶佰源半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922416810.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高耐热高韧性的充电器外壳
- 下一篇：一种Mini-LED结构
