[实用新型]一种电磁屏蔽结构有效
| 申请号: | 201922415361.3 | 申请日: | 2019-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN211088262U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | 肖克来提;孙绪燕;曹立强 | 申请(专利权)人: | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 周卫赛 |
| 地址: | 200131 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电磁 屏蔽 结构 | ||
本实用新型属于屏蔽材料制备技术领域,具体涉及一种电磁屏蔽结构。该电磁屏蔽结构包括载体;屏蔽体,设置在所述载体上;芯片,设置在所述载体上,且相邻屏蔽体间设置至少一个所述芯片,所述芯片的高度不大于所述屏蔽体的高度;塑封层,与所述芯片和所述屏蔽体设置于所述载体的同侧,且包覆所述屏蔽体和所述芯片。该结构将屏蔽体设置在载体上,然后再在载体上设置芯片,可以对芯片进行有效屏蔽,且该电磁屏蔽结构的封装体积小、工艺集成度高,降低了封装工艺的复杂度,可以满足电子产品轻薄短小的需求。
技术领域
本实用新型属于屏蔽材料制备技术领域,具体涉及一种电磁屏蔽结构。
背景技术
电磁屏蔽是用屏蔽体阻止高频电磁场在空间传播的一种措施,当电磁波在通过金属或对电磁波有衰减作用的阻挡层时,会受到一定程度的衰减,说明该阻挡层材料有屏蔽作用,为屏蔽体。一般情况下,屏蔽体可由铜、铝、钢等金属制成,但对于恒定和极低频磁场,也可采用铁氧体等材料作为屏蔽体。屏蔽体可以避免在同一系统或不同系统产生电磁噪声或干扰而引起系统性能恶化的问题。
根据屏蔽目的的不同,屏蔽体可分为静电屏蔽体、磁屏蔽体和电磁屏蔽体三种。静电屏蔽体是由逆磁材料(如铜、铝)制成,并和地连接,可以使电场终止在屏蔽体的金属表面上,并把电荷转送入地。磁屏蔽体是由磁导率很高的强磁材料(如钢)制成,可把磁力线限制于屏蔽体内。电磁屏蔽体主要用来遏止高频电磁场的影响,使干扰场在屏蔽体内形成涡流并在屏蔽体与被保护空间的分界面上产生反射,从而大大削弱干扰场在被保护空间的场强值,达到了屏蔽效果。有时为了增强屏蔽效果,还可采用多层屏蔽体,其外层一般采用电导率高的材料,以加大反射作用,而其内层则采用磁导率高的材料,以加大涡流效应。
中国专利文献CN110010480A,公开了一种晶圆级的射频芯片电磁屏蔽封装工艺,该工艺使用晶圆级TSV形成空腔结构,在TSV通孔中填充金属,形成金属电磁屏蔽结构,然后通过晶圆级键合于贴有芯片的晶圆键合,形成电磁屏蔽空腔结构;该工艺技术成本较高,且工艺十分复杂。此外,现有技术中的屏蔽结构通常由带有隔离墙的框架、以及盖子组成,该屏蔽结构通常占用较大面积、单个组装、效率低、组装工艺复杂,易引起内部芯片的损坏。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的电磁屏蔽器件体积大、效率低、生产成本高等缺陷,从而提供一种电磁屏蔽结构及其封装方法。
为此,本实用新型提供了以下技术方案。
本实用新型提供了一种电磁屏蔽结构,包括,
载体;
屏蔽体,设置在所述载体上;
芯片,设置在所述载体上,且相邻屏蔽体间设置至少一个所述芯片,所述芯片的高度不大于所述屏蔽体的高度;
塑封层,与所述芯片和所述屏蔽体设置于所述载体的同侧,且包覆所述屏蔽体和所述芯片。
所述载体上设置有粘连层,所述塑封层、所述芯片和所述屏蔽体设置于所述粘连层上。
所述芯片的焊点朝向所述载体设置。
所述芯片的焊点背向所述载体设置。
所述电磁屏蔽结构还包括重布线层,设置在所述塑封层背向所述载体的一侧,且所述重布线的导线与所述芯片电连接。
所述电磁屏蔽结构还包括焊球,设置在所述重布线层背向所述塑封层的一侧,且所述焊球与所述芯片通过重布线层与芯片实现电连接。
所述屏蔽体为金属和/或陶瓷屏蔽体。
本实用新型还提供了一种上述电磁屏蔽结构的封装方法,包括以下步骤,
在载体上形成屏蔽体;
将芯片贴装在载体上;
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