[实用新型]一种保证大功耗GAN芯片导热层厚度的点胶治具有效
申请号: | 201922400765.5 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN211265416U | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 程浪;卢茂聪;张怡 | 申请(专利权)人: | 广东气派科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 | 代理人: | 周玉红 |
地址: | 523330 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保证 功耗 gan 芯片 导热 厚度 点胶治具 | ||
本实用新型涉及一种保证大功耗GAN芯片导热层厚度的点胶治具,包括点胶头,所述点胶头内部设有出胶通道,所述出胶通道的底端设有横截面形状为矩形的定形胶槽,所述定形胶槽的尺寸与所要焊接的芯片尺寸相匹配,所述定形胶槽竖截面为上窄下宽的外喇叭形,所述点胶头底面还设有多条排气通道,所述排气通道与定形胶槽连通。在进行点胶时,需要点胶头与引线框基岛表面贴合,然后再进行点胶,使烧结银胶充满定形胶槽,从而得到均匀一致、尺寸精准的点胶厚度,胶量也得到了控制;点胶的形状为矩形,与芯片适配,不易引发芯片边缘爬胶过高,污染芯片的情况,从而解决了现有技术中点胶厚度和形状无法精准控制的难题。
技术领域
本实用新型涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种保证大功耗GAN芯片导热层厚度的点胶治具。
背景技术
随着国内外5G技术的发展,市场陆续出现一些适用于5G产品的氮化镓芯片,此类芯片在工作时电流大、功率高,工作温度会高达250度,这就要求芯片封装产品具有高散热性、高可靠性的特性,为了满足这些要求,尤其是高散热性要求,对产品的封装材料(塑封料、焊接料)也有较高要求,都需要具有高导热性的特性,尤其是芯片底部的焊接料,连接了芯片和引线框基岛,芯片产生的热先传递到引线框基岛上,再散失到空气中,是决定产品散热性能的非常关键性的材料。目前,为了满足产品的高散热要求,都选用热导率大于100W/(m.K) 的焊接材料,既烧结银胶,烧结银胶内部主要成分为银粉,具有很好的导电性。但是此类材料也有一些缺点,在烘烤固化焊接后,芯片与引线框基岛之间的焊接料中会出现很多空洞,这严重影响了产品的散热性。
如图1所示,为现有技术中的一种芯片封装结构,包括芯片1、金线2、引线框基岛3、烧结银胶4、引线框5和塑封料6,现有技术中烧结银胶4厚度一般采用15-20μm,在烘烤固化焊接后,芯片1与引线框基岛3之间的烧结银胶4中会出现很多空洞,芯片1与引线框基岛3之间焊接空洞面积与产品散热性呈明显的反比关系,这严重的影响了芯片封装产品的散热性,散热性差会导致产品异常,降低产品寿命,甚至直接失效。当前产品一般对芯片焊接层空洞率要求小于25%(JEDEC J-STD-033),而此类GaN/SiC产品的特殊应用对其散热性要求很高,焊接层空洞率不大于5%,为了减少焊接空洞,通过高导热性烧结银胶DOE实验优化后发现,当焊接料的用量要达到一定要求,既厚度大于30μm时,焊接空洞会明显降低,可使焊接空洞会降低到2%以下,能满足散热要求。
现有技术中烧结银胶是主要是采用点胶的方式转移到引线框基岛上,如图2所示,点胶头7点出的胶量完全是通过压力来控制,造成胶量不稳定,点胶头点出的胶胶尾较高,而四周较薄,表面水平高度差异较大,放置芯片后胶的厚度不易控制;另外,点出的胶为圆形,芯片绝大多数为方形,这种状况下:如果胶量稍小的情况下,容易出现四个角位置胶量不足,如果胶量偏大,易引发芯片边缘爬胶过高,污染芯片,需要进一步改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种保证大功耗GAN芯片导热层厚度的点胶治具。
本实用新型是这样实现的:一种保证大功耗GAN芯片导热层厚度的点胶治具,包括点胶头,所述点胶头内部设有出胶通道,所述出胶通道的底端设有横截面形状为矩形的定形胶槽,所述定形胶槽的尺寸与所要焊接的芯片尺寸相匹配,所述定形胶槽竖截面为上窄下宽的外喇叭形,所述点胶头底面还设有多条排气通道,所述排气通道与定形胶槽连通。
其中,所述定形胶槽竖截面的外喇叭的开口角度为10-60度。
其中,所述定形胶槽底面的四个侧边均设有多条排气通道,所述排气通道的深度为 10-20μm,宽度为50-100μm。
其中,所述点胶头采用玻璃材质,所述定形胶槽内部进行抛光打腊处理。
其中,所述定形胶槽内部棱边均设有倒圆角。
其中,所述点胶治具还设有超声波振动装置,所述超声波振动装置包括振动主轴,所述点胶头固定在振动主轴上,所述点胶头底端振幅为5-10μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造