[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型涉及一种基板处理装置，更详细而言，涉及一种当腔室被打开时在搬运部形成气帘从而切断室外空气及外部颗粒流入腔室内部的基板处理装置。本实用新型的基板处理装置包括：腔室，其内部形成有空间；以及流体喷射部，其在搬进和搬出基板的所述腔室的基板搬运部外侧喷射流体。

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置，更详细而言，涉及一种打开腔室时在搬运部形成气帘从而切断室外空气和颗粒流入腔室内部的基板处理装置。

背景技术

随着最近信息通信领域的飞速发展和电脑等信息媒体的大众化，半导体设备也腾飞发展。另外，在功能方面，根据半导体装置的元件高集成化的倾向，为了缩小基板上形成的个别元件的大小，同时使得元件性能最大化，正在研究开发各种方法。

一般情况下，半导体元件需要反复进行多个基板处理而制造，例如光刻、沉积及蚀刻、涂抹光刻胶、显像、清洗和干燥工艺等。

每个工艺均利用符合各自目的的工艺流体而进行，每个工艺需要适当的工艺环境。

一般，各工艺是在组成相关的工艺环境的腔室或槽室里容纳基板而形成的，为了防止外部颗粒的流入，可以在密封的腔室内部容纳基板。

在进行各工艺的基板上残留有金属杂质和有机物等颗粒，此类污染物会导致基板的工艺不良，将对产品的收率及可信性产生负面影响。

因此，为了去除颗粒，在每个工艺结束时，反复进行清洗和干燥工艺是非常重要的。

参照附图1来说明依据以往技术的单晶圆基板处理装置和利用其进行基板处理的方法。

根据以往技术的基板处理装置包括：腔室10，其由第一外壳11和第二外壳12结合而成，并在封闭的基板处理空间里容纳基板W并进行处理；以及驱动部40，其用于支撑所述第二外壳12使第二外壳12上下移动，从而开关所述腔室10。

当所述基板W进入腔室10内部或从所述腔室10内部搬出外部时，所述腔室10被打开，在所述腔室10内部进行基板W的处理工艺期间所述腔室10保持关闭状态。

所述驱动部40由进行升降驱动的汽缸构成。

如图1(a)所显示，当所述汽缸伸长时，所述第二外壳12将会上升，随后所述第一外壳11的法兰部21和所述第二外壳12的法兰部22相结合，封闭所述腔室10。

如图1(b)所显示，当所述汽缸缩短时，所述第二外壳12将会下降，随后所述腔室10将会被打开，从而在所述第一外壳11的法兰部21和所述第二外壳12的法兰部22之间形成使所述腔室10内外相通的搬运部30。

如上所述，根据以往技术的基板处理装置，打开所述腔室10时，室外空气和颗粒可以通过所述搬运部30流入所述腔室10内部。

因此，会对所述腔室10内部的基板处理环境产生不利影响，并且会出现不良基板。

作为与如上所述基板处理装置相关的现有技术之一，有韩国注册专利第 10-2015-0064494号。

实用新型内容

本实用新型正是为了解决如上所述课题而研发的，本实用新型的目的在于提供一种打开腔室时在搬运部形成气帘从而防止室外空气和颗粒流入腔室内部的基板处理装置。

旨在解决如上所述课题的本实用新型的基板处理装置包括：腔室，其内部形成有空间；以及流体喷射部，其向连接所述腔室内外的搬运部外侧喷射流体从而形成气帘。

所述流体喷射部可以垂直向下喷射所述流体或向所述腔室的外侧下方斜射所述流体。

在第一外壳和第二外壳相结合构成的所述腔室中，流体喷射部可以沿着所述第一外壳的法兰部的周围按一定间隔配备多个，也可以沿着所述第一外壳的法兰部的周围设置为环形。