[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号: | 201922397886.9 | 申请日: | 2019-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN211479989U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | 金东旻 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 陈国军 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,其包括:
腔室,其内部形成有空间;以及
流体喷射部,其在搬进和搬出基板的所述腔室的基板搬运部外侧喷射流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室由第一外壳和第二外壳相结合构成,当所述第一外壳和所述第二外壳分离时,在所述第一外壳和所述第二外壳之间形成所述搬运部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体喷射部位于所述第一外壳或所述第二外壳,并向所述搬运部喷射所述流体。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室由所述第一外壳与所述第二外壳的上部相结合而构成;
所述流体喷射部位于所述第一外壳,垂直向下喷射所述流体。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室由所述第一外壳与所述第二外壳的上部相结合而构成;
所述流体喷射部位于所述第一外壳,向所述腔室的外侧下方斜射所述流体。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室由所述第一外壳与所述第二外壳的上部相结合而构成;
所述流体喷射部位于所述第二外壳,垂直向上喷射所述流体。
7.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室由所述第一外壳与所述第二外壳的上部相结合而构成;
所述流体喷射部位于所述第二外壳,向所述腔室的外侧上方斜射所述流体。
8.根据权利要求5或7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体喷射部构成为由垂直方向至所述腔室的外侧方向,即倾斜5度至15度的方向,斜射所述流体。
9.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
沿着所述第一外壳或所述第二外壳的周围,按一定间隔配备多个所述流体喷射部。
10.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
沿着所述第一外壳或所述第二外壳的周围,以环形形态配备所述流体喷射部。
11.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述流体喷射部配备至少一个喷射部,喷射部用于喷射所述流体。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述至少一个喷射部形成为狭缝形态。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
沿着所述第一外壳或所述第二外壳的周围,按一定间隔配备至少一个喷射部。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
包括与所述流体喷射部相连接并供应所述流体的气体供应箱。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体包括非活性气体、氮气、洁净空气中至少一种流体。
16.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一外壳保持固定位置,在所述第二外壳配有驱动部,所述第二外壳随着所述驱动部的驱动而移动并与所述第一外壳相结合或分离,由此所述腔室进行开闭。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室由所述第一外壳与所述第二外壳的上部相结合而构成;
所述驱动部由使所述第二外壳上下驱动的汽缸构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





