[实用新型]一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板

说明书

本实用新型公开一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板，属于集成电路制造技术领域。所述集成电路封装用的平行缝焊合金盖板包括T形的合金盖板本体，所述合金盖板本体包括连接部和承压部，所述连接部的四周侧壁均形成有第一镍保护层，所述第一镍保护层和所述合金盖板本体外包裹有第二镍保护层。本实用新型公开的一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板中，所述第二镍保护层包裹在所述第一镍保护层和所述合金盖板本体外部，能够有效的防止平封过程中基体珂伐合金中铁元素的暴露，增强盖板抗盐雾腐蚀性能，能够满足集成电路产品更加苛刻的盐雾环境应用需求和采用平行缝焊密封工艺封装器件的高可靠性要求。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板。

背景技术

平行缝焊是高可靠集成电路气密封装的一种重要的盖板密封技术，该技术利用电阻焊的原理，通过滚轮电极产生的热量使盖板反面的镀层熔化；随着电极轮在盖板上滚动，焊点一个个相继成型，形成一条鱼鳞状搭接的焊缝，实现盖板与陶瓷或金属外壳的密封环之间的焊接。这种焊接属于局部焊接，焊接电流在通过电极与盖板接触处、盖板与密封环接触处时产生足够的热量，使得两个接触处的镀层发生熔化。缝焊工艺热量集中在密封区局部，器件内部芯片未受到高温作用。平行缝焊的特点是局部产生高温，外壳内部的芯片温度低，对芯片不产生热冲击。通常的平行缝焊合金盖板采用镍作为表面镀层，为避免焊接过程中温度过高对封装外壳内的电路芯片、器件产生影响，一般采用熔点较低的化学镀镍工艺。在该工艺中，化学镀镍液中参杂的磷的重量比一般在8%~12%之间，其镀层的熔点为880℃。在平行缝焊中，通过控制焊接电流的大小使得盖板与密封环接触处的温度高于化学镀镍的熔点时，可实现二者之间的密封焊接。

常规的平行缝焊合金盖板采用的是整体化学镀镍工艺形成表面镀镍层厚度只有几微米，使得平行缝焊接过程中很难避免镀层底部基体中铁元素的暴露，因此盐雾试验中的锈蚀失效问题时有发生，对电路应用中的可靠性带来隐患。

由于平行缝焊合金盖板的基体材料为含铁合金，一旦铁元素暴露后，盖板的耐腐蚀性能发生退化，这也是采用平行缝焊密封工艺的封装产品在进行盐雾试验中经常出现锈蚀的根本原因。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板，以解决常规的平行缝焊合金盖板的表面镀镍层厚度只有几微米，使得平行缝焊接过程中很难避免镀层底部基体中铁元素的暴露，导致盐雾试验中的锈蚀失效问题时有发生，对电路应用中的可靠性带来隐患的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板，包括T形的合金盖板本体，所述合金盖板本体包括连接部和承压部，所述连接部的四周侧壁均形成有第一镍保护层，所述第一镍保护层和所述合金盖板本体外包裹有第二镍保护层。

可选的，所述第一镍保护层的厚度为200μm～400μm。

可选的，所述第一镍保护层为高纯镍，熔点为1455℃。

可选的，所述第二镍保护层为镍层，或镍层加金层。

可选的，所述第二镍保护层中镍层的厚度为2μm～8.89μm；当所述第二镍保护层为镍层加金层时，金层的厚度为0.01-6μm。

可选的，所述第二镍保护层中的镍为镍磷合金，熔点为880℃。

可选的，所述第二镍保护层镍磷合金中磷的重量比为8%~12%。