[实用新型]一种新型半导体芯片

说明书

本实用新型公开一种新型半导体芯片，包括正多边形的基盘，所述基盘的中心处蚀刻出圆形芯片，所述圆形芯片的边沿与基盘之间蚀刻出一圈环形沟道，所述环形沟道内钝化有玻璃。本实用新型采用设计成圆形芯片的版图，再通过扩散、光刻、蚀刻、钝化、保护等工艺技术，制成具有圆形芯片的高可靠性，同时可以利用刀片切割的低加工成本等优点半导体芯片，而且钝化玻璃位于沟道内，半导体芯片表面平整，稳定性和安全性高。

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，特别涉及一种新型半导体芯片。

背景技术

目前的半导体功率器件整流管芯片特别是高压芯片采用的是传统的GPP工艺，常用的为四边形和六边形设计，少量采用圆形设计，正多边形的设计优点在于利于加工和切割，普通切割设备即可完成切割操作，成本低，但缺点也很明显，尖角电荷集中，容易产生尖端放电现象，易损坏，可靠性不佳，在特殊应用场合容易失效；圆形设计有点在于避免了尖端放电现象，且在外界环境为圆柱形封装时，圆形设计的有效和可利用面积是最大的，其缺点是加工成本过高，无法用刀片切割的方式切成圆形，只能通过高强度激光切割成圆形芯片，机器价格昂贵且技术不是特别成熟，所以半导体行业除特殊需要外，很少设计生产成圆形芯片。

现有的半导体芯片的钝化玻璃保护层位置比较凸出，其一般覆盖在芯片和蚀刻的界限处，蚀刻造成晶圆表面下降，芯片凸起成台阶状，钝化玻璃覆盖在阶角处，位置凸出，且厚度较厚，易损坏。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷，一种新型半导体芯片，采用设计成圆形芯片的版图，再通过扩散、光刻、蚀刻、钝化、保护等工艺技术，制成具有圆形芯片的高可靠性，同时可以利用刀片切割的低加工成本等优点半导体芯片，而且钝化玻璃位于沟道内，半导体芯片表面平整，稳定性和安全性高。

本实用新型的技术方案：

一种新型半导体芯片，包括正多边形的基盘，所述基盘的中心处蚀刻出圆形芯片，所述圆形芯片的边沿与基盘之间蚀刻出一圈环形沟道，所述环形沟道内钝化有玻璃。

进一步地，所述环形沟道的外圈圆为正多边形基盘的内切圆。

进一步地，所述正多边形基盘的边数为3-20条。

进一步地，所述正多边形基盘的边数为3、4或6条。

进一步地，所述正多边形基盘为正六边形。

相比于现有技术，本实用新型设计的半导体芯片不仅具有圆形芯片的无尖角放电、可利用面积大等优点，而且便于切割加工，成本低，同时钝化玻璃设计于沟道内，使半导体芯片表面平整，提高稳定性和耐用性和使用寿命；本实用新型的制作工艺利用几何学知识，对光刻板进行设计，确保正多边形的基盘便于切割，减少工序和提高材料利用率，试验证明，正六边形的基盘比正三角形和正方形具有材料利用率更高，比正八边形和正十边形更便于切割，是最优选。

附图说明

图1为本实用新型半导体芯片侧视结构示意图；

图2为本实用新型正三角形基盘和圆形芯片的光刻板设计示意图；

图3为本实用新型正三角形基盘和圆形芯片设计半导体芯片结构示意图；

图4为本实用新型正四边形基盘和圆形芯片的光刻板设计示意图；

图5为本实用新型正四边形基盘和圆形芯片设计半导体芯片结构示意图；

图6为本实用新型正六边形基盘和圆形芯片的光刻板设计示意图；

图7为本实用新型正六边形基盘和圆形芯片设计半导体芯片结构示意图；

图8为本实用新型正八边形基盘和圆形芯片的光刻板结构示意图；