[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

介电层；

导线层，位于所述介电层内，所述导线层包括第一导电部及第二导电部，所述第二导电部位于所述第一导电部的下方，且与所述第一导电部电连接；

低介电常数材料层，位于相邻所述第一导电部之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述低介电常数材料层还位于相邻所述第二导电部之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括金属阻挡层，所述金属阻挡层位于所述导线层与所述低介电常数材料层之间及所述导线层与所述介电层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述第一导电部的宽度大于所述第二导电部的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括覆盖保护层，所述覆盖保护层位于所述介电层上，且覆盖所述导线层的上表面及所述介电层的上表面。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于：所述介电层内形成有下层导电结构，所述下层导电结构包括导电金属层和阻挡层，所述阻挡层位于所述导电金属层与所述介电层之间，所述导电金属层与所述导线层电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述介电层内还形成有金属线层，位于所述下层导电结构上，所述金属线层与所述下层导电结构电连接并与所述导线层电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述介电层内还形成有保护层，位于所述金属线层的上表面。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：所述第二导电部穿过所述保护层并与所述金属线层电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述低介电常数材料层的顶部不低于所述第一导电部的顶部，且所述低介电常数材料层的底部不高于所述第一导电部的底部。