[实用新型]一种高频封装装置

说明书

本实用新型涉及一种高频封装装置，属于封装技术领域，解决了现有的裸芯片与封装管脚的阻抗不匹配造成裸芯片工作效率低的问题。包括第一匹配电路板和第二匹配电路板；所述第一匹配电路板和第二匹配均包括芯片连接端和管脚连接端；所述第一匹配电路板的芯片连接端连接待封装裸芯片的输入端，所述第二匹配电路板的芯片连接端连接待封装裸芯片的输出端；所述第一匹配电路板的管脚与封装射频输入管脚电连接，所述第二匹配电路板的管脚连接端与封装射频输出管脚电连接。实现了封装管脚与裸芯片的匹配，提高了封装装置的工作效率。

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，尤其涉及一种高频封装装置。

背景技术

封装技术已广泛应用于数字、模拟器件的封装中。对于微波器件，为保证性能，一般情况下采用裸芯片，但裸芯片对工作环境要求很高，特别是高频III-V族半导体器件，表面保护层较薄，常因为工作环境中的水、盐雾等因素导致器件失效。由此可见，封装可以显著提高裸芯片的环境适应性。

目前，裸芯片封装已可以保证部分工作频率的裸芯片性能，但随着电子系统工作频率不断提高，其裸芯片对封装要求更加苛刻。裸芯片与封装管脚的阻抗不匹配，从而造成裸芯片工作效率低。

实用新型内容

鉴于上述的分析，本实用新型旨在提供一种高频封装装置，用以解决现有的裸芯片与封装管脚的阻抗不匹配造成裸芯片工作效率低的问题。

本实用新型的目的主要是通过以下技术方案实现的：

一种高频封装装置，包括第一匹配电路板和第二匹配电路板；

所述第一匹配电路板和第二匹配均包括芯片连接端和管脚连接端；

所述第一匹配电路板的芯片连接端连接待封装裸芯片的输入端，所述第二匹配电路板的芯片连接端连接待封装裸芯片的输出端；

所述第一匹配电路板的管脚与封装射频输入管脚电连接，所述第二匹配电路板的管脚连接端与封装射频输出管脚电连接。

进一步，所述第一匹配电路板和第二匹配电路板均包括T字形射频信号电路板和对称设置在所述T字形射频信号电路板两侧的矩形电路板；

所述T字形射频信号电路板包括短板和与所述短板垂直连接的长板，所述短板未与所述长板连接的一端为所述芯片连接端，与所述裸芯片的输入端或输出端连接，所述长板未与所述短板连接的一端为所述管脚连接端，与所述封装射频输入管脚或所述封装射频输出管脚连接；

所述矩形电路板，用于屏蔽外界信号的干扰；

所述矩形电路板设置有至少一个通孔，所述通孔接地。

进一步，该装置还包括第一电容和第二电容；

所述第一电容和第二电容的下极板均接地；所述第一电容和第二电容的上极板相连后，分别与所述裸芯片的供电管脚或封装直流供电管脚电连接。

进一步，所述第一电容的容值为1uF，所述第二电容的容值为1000pF。

进一步，该装置还包括封装外壳，所述封装射频输入管脚、封装射频输出管脚和封装直流供电管脚均设置在所述封装外壳上。

进一步，所述封装直流供电管脚，用于外接直流电源。

进一步，所述裸芯片包括N沟道MOS管M1，电容C1、电容C5、电阻R2、电感L2和L3；

所述MOS管M1的门极连接所述电容C1的一端，所述电容C1的另一端为所述裸芯片的输入端；所述MOS管M1的栅极连接电感L2和电感L3的一端，所述电感L2的另一端为供电管脚，所述电感L3的另一端连接电容C5的一端，所述电容C5的另一端为所述裸芯片的输出端；所述MOS管M1的源极连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端接地。