[实用新型]一种高频封装装置

权利要求书

1.一种高频封装装置，其特征在于，包括第一匹配电路板和第二匹配电路板；

所述第一匹配电路板和第二匹配均包括芯片连接端和管脚连接端；

所述第一匹配电路板的芯片连接端连接待封装裸芯片的输入端，所述第二匹配电路板的芯片连接端连接待封装裸芯片的输出端；

所述第一匹配电路板的管脚与封装射频输入管脚电连接，所述第二匹配电路板的管脚连接端与封装射频输出管脚电连接。

2.根据权利要求1所述的高频封装装置，其特征在于，所述第一匹配电路板和第二匹配电路板均包括T字形射频信号电路板和对称设置在所述T字形射频信号电路板两侧的矩形电路板；

所述T字形射频信号电路板包括短板和与所述短板垂直连接的长板，所述短板未与所述长板连接的一端为所述芯片连接端，与所述裸芯片的输入端或输出端连接，所述长板未与所述短板连接的一端为所述管脚连接端，与所述封装射频输入管脚或所述封装射频输出管脚连接；

所述矩形电路板，用于屏蔽外界信号的干扰；

所述矩形电路板设置有至少一个通孔，所述通孔接地。

3.根据权利要求1或2所述的高频封装装置，其特征在于，该装置还包括第一电容和第二电容；

所述第一电容和第二电容的下极板均接地；所述第一电容和第二电容的上极板相连后，分别与所述裸芯片的供电管脚或封装直流供电管脚电连接。

4.根据权利要求3所述的高频封装装置，其特征在于，所述第一电容的容值为1uF，所述第二电容的容值为1000pF。

5.根据权利要求3所述的高频封装装置，其特征在于，该装置还包括封装外壳，所述封装射频输入管脚、封装射频输出管脚和封装直流供电管脚均设置在所述封装外壳上。

6.根据权利要求5所述的高频封装装置，其特征在于，所述封装直流供电管脚，用于外接直流电源。

7.根据权利要求1所述的高频封装装置，其特征在于，所述裸芯片包括N沟道MOS管M1，电容C1、电容C5、电阻R2、电感L2和L3；

所述MOS管M1的门极连接所述电容C1的一端，所述电容C1的另一端为所述裸芯片的输入端；所述MOS管M1的栅极连接电感L2和电感L3的一端，所述电感L2的另一端为供电管脚，所述电感L3的另一端连接电容C5的一端，所述电容C5的另一端为所述裸芯片的输出端；所述MOS管M1的源极连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端接地。

8.根据权利要求7所述的高频封装装置，其特征在于，所述裸芯片还包括电阻R1、电感L1、电容C2、电容C3和电容C4；

所述电阻R1与电容C2连接并接至MOS管M1的门极和栅极之间；所述电感L1的一端连接MOS管M1的门极，另一端接地；所述电容C3连接在所述电阻R2的两端；所述电容C4的一端连接电感L2的一端，另一端接地。

9.根据权利要求5所述的高频封装装置，其特征在于，所述封装外壳的封装射频输入管脚通过金丝键合线连接第一匹配电路板的管脚连接端，所述第一匹配电路板的芯片连接端通过金丝键合线连接裸芯片的输入端，所述裸芯片的输出端通过金丝键合线连接第二匹配电路板的芯片连接端，所述第二匹配电路板的管脚连接端通过金丝键合线连接封装外壳的封装射频输出管脚。

10.根据权利要求1所述的高频封装装置，其特征在于，所述第一匹配电路板和第二匹配电路板均为高频印制电路板。