[实用新型]半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件

说明书

本实用新型提供一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。所述半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件包括上盖；底座，所述底座设于所述上盖的下方；前连接板，所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间；后连接板，所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间；左连接板，所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间；右连接板，所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件金属钨和钼作为离子注入的溅射材料，耐高温，最高可达到2300度，增加使用寿命，提高了溅射的稳定作用。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。

背景技术

半导体晶圆离子注入溅射工艺用的零部件，主要是应用在半导体芯片原材料晶圆生产过程中的一个重要环节，利用离子注入机实现半导体的掺杂，改变半导体的导电性与晶体管结构。由于在离子注入时，离子源转换为电浆离子会产生2000℃以上的工作温度，离子束喷发的时候也会产生很大的离子动能，而传统的零部件材料为铝材料及铝合金材料的离子注入溅射材料，此时材料使用寿命短，稳定性较差。

因此，有必要提供一种新的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种采用金属钨和钼作为离子注入的溅射材料，耐高温，最高可达到2300度，增加使用寿命，提高了溅射的稳定作用的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件包括：上盖；底座，所述底座设于所述上盖的下方；前连接板，所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间；后连接板，所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间；左连接板，所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间；右连接板，所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。

优选的，所述上盖和所述底座相互靠近的一侧均开设有两个横向卡槽和两个纵向卡槽，两个所述横向卡槽均与两个所述纵向卡槽相连通，所述左连接板和所述右连接板的底部分别与相应的纵向卡槽相适配，所述前连接板与所述后连接板的底部分别与相应的横向卡槽相适配。

优选的，所述横向卡槽与所述纵向卡槽夹角为90度。

优选的，所述上盖顶部为弧形结构，弧度为度，所述上盖上开设有椭圆形通孔。

优选的，所述前连接板和所述后连接板相互靠近的一侧均开设有两个竖直卡槽，所述左连接板和所述右连接板的两侧分别与相应的竖直卡槽相适配。

优选的，所述上盖、所述底座、所述前连接板、所述后连接板、所述左连接板和所述右连接板的材质均为金属钼或金属钨。

与相关技术相比较，本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件具有如下有益效果：

本实用新型提供一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，采用金属钨和钼作为离子注入的溅射材料，耐高温，最高可达到2300度，增加使用寿命，提高了溅射的稳定作用，备料是采用轧机设备制造出一张金属钨或者金属钼整板，规格不限，市场有不同规格，所以无法确定正板的详细尺寸；然后把扎制好的整板放在线切割，或者是激光切割机上，进行切割成加工件的尺寸；然后在把切割好的板材放在平面磨床上，对板材的表面进行加工，磨光的粗糙度0.8-1.6；在把磨好的板子放在CNC机械加工中心或者是铣床进行加工，加工到市场要求的各种形状和规格，主要加工作用分为开槽，倒角，弧度，表面，扩孔，修边；将加工完成的产品在放在钻孔机上，对产品进行钻孔，钻孔的尺寸和位置都不一样，可以是各种位置，各种大小；钻完孔后，用超声波清洗机或者是自来水，或者是工业酒精对产品进行全方位的清洗；清洗完成后把产品放入一般的烘干箱中烘干就行，一般烘干的时间是3到15分钟，时间根据产品的尺寸来决定。

附图说明