[实用新型]半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件有效
| 申请号： | 201922362451.0 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN211265415U | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈少举 | 申请（专利权）人： | 宝鸡市科迪普新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 周敏云 |
| 地址： | 721000 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 离子 注入 溅射 工艺 钨钼加 工件 | ||
1.一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，包括：
上盖；
底座，所述底座设于所述上盖的下方；
前连接板，所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间；
后连接板，所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间；
左连接板，所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间；
右连接板，所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述上盖和所述底座相互靠近的一侧均开设有两个横向卡槽和两个纵向卡槽，两个所述横向卡槽均与两个所述纵向卡槽相连通，所述左连接板和所述右连接板的底部分别与相应的纵向卡槽相适配，所述前连接板与所述后连接板的底部分别与相应的横向卡槽相适配。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述横向卡槽与所述纵向卡槽夹角为90度。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述上盖顶部为弧形结构，弧度为度，所述上盖上开设有椭圆形通孔。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述前连接板和所述后连接板相互靠近的一侧均开设有两个竖直卡槽，所述左连接板和所述右连接板的两侧分别与相应的竖直卡槽相适配。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述上盖、所述底座、所述前连接板、所述后连接板、所述左连接板和所述右连接板的材质均为金属钼或金属钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
