[实用新型]一种抗水解LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种抗水解LED芯片，其包括衬底、若干个发光结构、以及保护层，所述发光结构包括依次设于衬底上的N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，还包裸露区域、ITO层、N电极和P电极，本实用新型的隔离槽沿着裸露区域刻蚀至衬底的表面，以便于保护层覆盖在发光结构的表面和侧壁，从而将发光结构的表面和侧壁全部保护起来，有效防止芯片发生水解。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种抗水解芯片。

背景技术

参见图1，现有的LED芯片包括衬底10、发光结构和绝缘层30，所述发光结构包括设于衬底10上的N-GaN层21、设于N-GaN层21上的有源层22和N 电极25、设于有源层22上的P-GaN层23、设于P-GaN层23上的ITO层24、以及设于ITO层24上的P电极26，所述绝缘层30层覆盖发光结构的表面。

现有的LED芯片没有对N-GaN层进行蚀刻以露出衬底，未对外延层(N-GaN层21、有源层22和P-GaN层23的侧壁进行保护，在LED芯片通电使用过程中，侧壁的N-GaN层21因封装所用封装胶气密性较差，环境中的水汽、杂质等物质仍会进入并附着在发光结构的侧壁上，在电场的作用下，发光结构的侧壁会被水解腐蚀，LED芯片失效。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种抗水解芯片，结构简单，有效防止水解发生，提高芯片的可靠性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种抗水解LED芯片，包括衬底、若干个发光结构、位于发光结构之间的隔离槽、以及保护层，

所述发光结构包括依次设于衬底上的N-GaN层、有源层和P-GaN层，还包裸露区域、ITO层、N电极和P电极，所述裸露区域沿着P-GaN层刻蚀至N-GaN层，以将N-GaN层裸露出来，所述电极设置在裸露出来的N-GaN层上，所述 ITO层设置在P-GaN层上，所述P电极设置在ITO层，

所述隔离槽沿着裸露区域刻蚀至衬底的表面，以将发光结构隔开，

所述保护层覆盖在发光结构和隔离槽的表面和侧壁并延伸到衬底上，所述保护层由若干个周期的Al₂O₃层和SiO₂层组成，所述Al₂O₃层作为底层，所述SiO₂层设置在Al₂O₃层上，每层Al₂O₃层的厚度小于每层SiO₂层的厚度。

作为上述方案的改进，每层Al₂O₃层的厚度为每层SiO₂层的厚度为 30％～50％。

作为上述方案的改进，所述Al₂O₃层的总厚度为500～1000埃，所述SiO₂层的总厚度为1000～2000埃。

作为上述方案的改进，所述保护层的结构为Al₂O₃/SiO₂/Al₂O₃/SiO₂，每层的厚度依次为300埃、600埃、500埃、1500埃。

作为上述方案的改进，所述发光结构与衬底的夹角为30～70°

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型的隔离槽沿着裸露区域刻蚀至衬底的表面，在不影响芯片出光效率的情况下，将发光结构的侧壁形成一定的倾斜角度，以便于保护层覆盖在发光结构表面和侧壁，从而将发光结构的表面和侧壁全部保护起来，有效防止芯片发生水解。