[实用新型]一种抗水解LED芯片

权利要求书

1.一种抗水解LED芯片，其特征在于，包括衬底、若干个发光结构、位于发光结构之间的隔离槽、以及保护层，

所述发光结构包括依次设于衬底上的N-GaN层、有源层和P-GaN层，还包裸露区域、ITO层、N电极和P电极，所述裸露区域沿着P-GaN层刻蚀至N-GaN层，以将N-GaN层裸露出来，所述电极设置在裸露出来的N-GaN层上，所述ITO层设置在P-GaN层上，所述P电极设置在ITO层，

所述隔离槽沿着裸露区域刻蚀至衬底的表面，以将发光结构隔开，

所述保护层覆盖在发光结构和隔离槽的表面和侧壁并延伸到衬底上，所述保护层由若干个周期的Al₂O₃层和SiO₂层组成，所述Al₂O₃层作为底层，所述SiO₂层设置在Al₂O₃层上，每层Al₂O₃层的厚度小于每层SiO₂层的厚度。

2.如权利要求1所述的抗水解LED芯片，其特征在于，每层Al₂O₃层的厚度为每层SiO₂层的厚度为30％～50％。

3.如权利要求2所述的抗水解LED芯片，其特征在于，所述Al₂O₃层的总厚度为500～1000埃，所述SiO₂层的总厚度为1000～2000埃。

4.如权利要求3所述的抗水解LED芯片，其特征在于，所述保护层的结构为Al₂O₃/SiO₂/Al₂O₃/SiO₂，每层的厚度依次为300埃、600埃、500埃、1500埃。

5.如权利要求1所述的抗水解LED芯片，其特征在于，所述发光结构与衬底的夹角为30～70°。