[实用新型]一种晶圆级封装结构

说明书

本实用新型实施例公开了一种晶圆级封装结构，该结构包括：具有多个功能区以及多个电极的滤波器晶圆；由盖板和围堰构成的空腔保护结构，与功能区对应设置，围堰与工作面接触并包围功能区，盖板和围堰均设置有与电极对应的开孔，且盖板的开孔在工作面上的垂直投影与围堰的开孔在工作面上的垂直投影交叠；覆盖盖板和围堰的第一绝缘层，第一绝缘层在工作面的垂直投影与电极部分交叠；设置于第一绝缘层上且与电极一一对应电连接的金属布线；覆盖金属布线以及第一绝缘层的第二绝缘层，第二绝缘层具有多个与金属布线一一对应且露出部分金属布线的开口；填充开口并与金属布线电连接的金属焊球。此封装结构提升了滤波器芯片的品质，且工艺简单。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆级封装结构。

背景技术

晶圆级封装具有较小封装尺寸与较佳电性表现等优势，可以广泛应用在半导体领域，例如采用晶圆级封装工艺封装声表面滤波器晶圆。

现有的声表面滤波器晶圆级封装工艺大多通过对芯片基体材料进行蚀刻加工，以进行后续的将芯片电极引出等工艺，但是，目前声表滤波器晶圆的基体材料是钽酸锂或铌酸锂，蚀刻加工的难度大，加工效率非常低下。另外，在将电极引出的工艺中，金属布线往往没有保护层，造成滤波器芯片的品质较低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种晶圆级封装结构，以实现提升滤波器芯片的品质，降低封装工艺难度。

本实用新型实施例提供的一种晶圆级封装结构，包括：

滤波器晶圆，滤波器晶圆的工作面包括多个功能区，每个功能区对应设置有多个电极，多个电极对称分布于功能区的外围；

空腔保护结构，与功能区一一对应，包括盖板和黏附在盖板上的围堰，其中，围堰与滤波器晶圆的工作面接触设置且包围功能区，空腔保护结构在工作面上的垂直投影的外边缘包围电极，盖板和围堰均设置有与电极一一对应的开孔，且盖板的开孔在工作面上的垂直投影与围堰的开孔在工作面上的垂直投影交叠；

第一绝缘层，覆盖盖板和围堰垂直于工作面的侧壁、开孔的侧壁以及盖板远离工作面的表面，且第一绝缘层在工作面的垂直投影与电极部分交叠；

多条金属布线，与电极一一对应，金属布线设置于第一绝缘层上且与电极电连接；

第二绝缘层，覆盖金属布线以及第一绝缘层，第二绝缘层具有多个开口，开口与金属布线一一对应且露出部分金属布线；

金属焊球，金属焊球填充开口并与金属布线电连接。

进一步地，围堰的组成材料包括高分子光敏胶材，围堰沿垂直于工作面的方向的厚度h1满足5μm≤h1≤100μm，围堰的开孔沿平行于工作面的方向的尺寸L1满足20μm≤L1≤100μm。

进一步地，盖板的材料包括硅，盖板沿垂直于工作面的方向的厚度h2满足30μm≤h2≤200μm。

进一步地，盖板的开孔沿垂直于工作面的第一截面形状为倒立的正梯形。

进一步地，盖板和围堰的开孔沿平行于工作面的第二截面形状包括圆形。

进一步地，盖板远离工作面的开孔的第二截面在工作面上的垂直投影包围围堰的开孔在工作面上的垂直投影，盖板靠近工作面的开孔的第二截面在工作面上的垂直投影与围堰的开孔在工作面上的垂直投影重合。

进一步地，第一绝缘层的材料包括光敏有机绝缘材料，第一绝缘层沿垂直于工作面的方向的厚度h3满足5μm≤h3≤50μm。

进一步地，金属布线的材料包括钛、铜、铝、镍、钯、钛合金、铜合金、铝合金、镍合金和钯合金中的至少一种，金属布线沿垂直于工作面的方向的厚度h4满足2μm≤h4≤20μm。