[实用新型]一种存储芯片的低电压保护电路

说明书

本实用新型涉及数据读取与存储技术领域，具体公开了一种存储芯片的低电压保护电路，在存储芯片的供电电源与存储芯片之间增加电压检测模块，并根据存储芯片的最低工作电压来选定电压检测模块的检测电压阈值，从而能够在电压检测模块检测到存储芯片的工作电压低于其设定的电压阈值时，自动输出一个低电平信号至存储芯片的写保护控制脚，存储芯片在接收到低电平信号后，会自动关闭内部的数据通讯端口，有效阻止外部数据的写入，保护其内部数据不会被擦写。本实用新型设计的电压检测模块采用普通的电压检测芯片，实现起来简单有效，可以有效避免存储芯片在低电压异常情况下的可靠性，保护内部数据安全，使整机稳定性进一步提升，减少售后退机风险。

技术领域

本实用新型涉及数据读取与存储技术领域，尤其涉及一种存储芯片的低电压保护电路。

背景技术

随着人民生活水平的提高，汽车进入到千家万户，汽车导航产品也越来越普及，由于车载导航产品大都是使用NAND FLASH作为主机的存储芯片，存储芯片里面会存储操作系统文件、应用程序文件、用户设置数据文件等，由于车载产品的供电特殊性，汽车在启动点火的过程中，会导致蓄电池电压跌落，进而影响到NAND FLASH存储芯片的供电电压也同时跌落，出现NAND FLASH供电低电压的情况，如果此时外部控制芯片正在对NAND FLASH存储芯片做读写操作，就会导致NAND FLASH存储芯片内的操作系统文件损坏，导致系统不能正常开机，引起终端客户投诉和抱怨。

如图1所示，1为CPU控制器芯片，主要用于控制NAND FLASH内部数据的读取和存储，2为NAND FLASH芯片，主要用于储存操作系统文件、应用程序文件、用户设置数据等文件，NAND FLASH芯片的WP引脚为芯片的写保护控制脚，WP脚为高电平时，会自动打开内部数据通讯端口，允许外部CPU控制器芯片1向NAND FLASH2写入数据，WP为低电平时，会自动关闭数据通讯端口，禁止外部CPU控制器芯片1向NAND FLASH2写入数据。

在正常工作时，NAND FLASH的WP控制脚通过电阻R1连接VDD，使WP置于高电平，NAND FLASH内部数据端口处于打开状态，允许外部CPU控制器随时写入数据，VDD电压由车身电源提供，由于VDD电压易受车身电源电压波动影响，当VDD电压低于NAND FLASH的供电电压时，会影响NAND FLASH存储芯片2工作的不稳定性，如果此时CPU控制器芯片1正在对NANDFLASH存储芯片2做读写数据操作，就会导致NAND FLASH存储芯片2内的文件损坏。

实用新型内容

本实用新型提供一种存储芯片的低电压保护电路，解决的技术问题是，在存储器的供电电压低于其最低工作电压时，存储芯片工作不稳定，如果此时CPU控制器芯片正在对存储芯片做读写数据操作，容易导致存储芯片内的文件被损坏。

为解决以上技术问题，本实用新型提供一种存储芯片的低电压保护电路，1、一种存储芯片的低电压保护电路，所述存储芯片连接在供电电源与地之间，设有写控制引脚，所述低电压保护电路包括连接所述写控制引脚、供电电源的电压检测模块；

当所述电压检测模块检测到所述供电电源低于预设电压阈值后，所述电压检测模块自动输出第一电平信号至所述存储芯片的写控制引脚，所述存储芯片关闭自身连接控制芯片的通讯数据端口。

具体地，所述预设电压阈值根据所述存储芯片的最低电压而定。

具体地，所述预设电压阈值等于所述存储芯片的最低电压。

优选地，所述电压检测模块通过自身的高低电平输出端口连接所述存储芯片，当所述电压检测模块检测到所述供电电源不低于预设电压阈值后，所述电压检测模块自动输出第二电平信号至所述存储芯片的写控制引脚，所述存储芯片开启自身连接控制芯片的通讯数据端口。

优选地，所述第一电平信号为低电平信号，所述第二电平信号为高电平信号。

优选地，所述存储芯片为NAND FLASH芯片。