[实用新型]一种存储芯片的低电压保护电路有效
申请号: | 201922307948.2 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN211150107U | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 高峰 | 申请(专利权)人: | 惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 叶新平 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 芯片 电压 保护 电路 | ||
1.一种存储芯片的低电压保护电路,所述存储芯片(2)连接在供电电源VDD与地之间,设有写控制引脚WP,其特征在于,所述低电压保护电路包括连接所述写控制引脚WP、供电电源VDD的电压检测模块(3);
当所述电压检测模块(3)检测到所述供电电源VDD低于预设电压阈值后,所述电压检测模块(3)自动输出第一电平信号至所述存储芯片(2)的写控制引脚,所述存储芯片(2)关闭自身连接CPU控制器芯片(1)的通讯数据端口。
2.如权利要求1所述的一种存储芯片的低电压保护电路,其特征在于:所述预设电压阈值根据所述存储芯片(2)的最低电压而定。
3.如权利要求1所述的一种存储芯片的低电压保护电路,其特征在于:所述预设电压阈值等于所述存储芯片(2)的最低电压。
4.如权利要求1所述的一种存储芯片的低电压保护电路,其特征在于:所述电压检测模块(3)通过自身的高低电平输出端口连接所述存储芯片(2),当所述电压检测模块(3)检测到所述供电电源不低于预设电压阈值后,所述电压检测模块(3)自动输出第二电平信号至所述存储芯片(2)的写控制引脚WP,所述存储芯片(2)开启自身连接CPU控制器芯片(1)的通讯数据端口。
5.如权利要求4所述的一种存储芯片的低电压保护电路,其特征在于:所述第一电平信号为低电平信号,所述第二电平信号为高电平信号。
6.如权利要求1所述的一种存储芯片的低电压保护电路,其特征在于:所述存储芯片(2)为NAND FLASH芯片。
7.如权利要求1所述的一种存储芯片的低电压保护电路,其特征在于:所述存储芯片(2)的写控制引脚WP与所述供电电源VDD之间连接有上拉电阻R1。
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