[实用新型]一种具有射频功率分布调节功能的等离子体处理装置

权利要求书

1.一种具有射频功率分布调节功能的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

由多个壁围成的反应腔；

设置在反应腔下方的基座，所述基座上设置有静电夹盘，所述静电夹盘用于固定待处理基片，一个源射频电源连接到基座或气体喷淋头及一个偏置射频电源连接到基座；

设置在反应腔上方的气体喷淋头，用于引入气体至反应腔内，所述气体喷淋头与所述基座之间为等离子体处理区域；

聚焦环，围绕所述静电夹盘并且在等离子体处理过程中暴露于等离子体；

环形电极，设置于聚焦环下方；

导体环，环设于基座下方，所述导体环通过一导体连接部与所述环形电极电性连接；

阻抗调节组件，设置于基座的下方；

其中，所述阻抗调节组件包括多个电容器及多个继电器，每一继电器分别与单个电容器电性连接以控制单个电容器的导电状态，所述阻抗调节组件与所述基座电性连接，一导体连接部电性连接所述阻抗调节组件与所述导体环。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电容器的个数至少为2个，所述继电器的个数也至少为2个且与所述电容器的个数相等，单个继电器与单个电容器电性连接。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：每个电容器的电容值相同或者不相同。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述继电器通过控制线连接于一控制器，所述控制器用以控制每一继电器的开关。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述阻抗调节组件进一步包括一电感，所述电感与所述基座电性连接。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电感为一低通滤波器，以阻止源射频电源输出的高频射频功率耦合至聚焦环，而偏置射频电源输出的低频射频功率仍可被耦合至聚焦环。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述环形电极为一耦合环，所述耦合环由铝、碳化硅等高导电性的材料制成。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述等离子体处理装置进一步包括一由绝缘材料制成的耦合环，所述耦合环设置于所述聚焦环的下方，所述环形电极设置于所述耦合环内或设置于所述耦合环与聚焦环之间。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述阻抗调节组件包括气体喷架，所述气体喷架设置于电容器的周侧，所述气体喷架面向电容器的壁面设有多个气嘴，所述气嘴用于向电容器所在的空间喷气，以降低电容器及其周侧环境温度。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体喷架内挖设有气体容积区域，所述气嘴与所述气体容积区域相连通。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述阻抗调节组件通过一气体管道与气体装置连通，且于气体管道上设置一阀，以控制向气体容积区域内通入气体。

12.如权利要求9至11任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体为干燥压缩气体。

13.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述阻抗调节组件包括陶瓷板，所述电容器及气体喷架固定于所述陶瓷板。

14.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述阻抗调节组件包括固定架，所述固定架的一端连接于陶瓷板，另一端连接于基座，以将阻抗调节组件整体固定于所述基座。

15.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导体环由铜制成。