[实用新型]一种扩散炉清洗装置有效

专利信息
申请号: 201922253449.X 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN211464158U 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 崔文荣 申请(专利权)人: 江苏晟驰微电子有限公司
主分类号: B08B9/027 分类号: B08B9/027
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 张彩珍
地址: 226600 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 扩散 清洗 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种扩散炉清洗装置,包括槽体本体,槽体本体上设有2个单独的同级清洗槽,槽体本体内部安装有旋转电机,所述旋转电机外接齿轮连接2根旋转轴,旋转轴上装有滚轮,滚轮上装有2根软质皮带,处理管道时与管道接触,在靠近旋转电机侧,两根旋转轴的中间位置设有一根进水管,进水管由机台底部引出,电磁阀控制进水开关,进水管口接PP材质软管,槽体本体尾端设有排液口,本实用新型保护了炉管的高温涂层,延长了炉管的使用寿命;降低了了炉管清洗工序的成本,单次化学试剂消耗量降低50%。

技术领域

本实用新型涉及扩散炉清洗技术领域,具体为一种扩散炉清洗装置。

背景技术

扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂,即将元素磷、硼扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。最新的低压磷扩散利用低压氛围可以得到更好的方块电阻均匀性和更大的生产批量,同时对环境的影响最小。氧化工艺是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应,生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧和湿氧,湿氧包括水汽氧化和氢氧合成两种。

现有的扩散炉管清洗装置为整体浸泡式,在槽体滚轮上放置炉管,加药液没过炉管,开启旋转滚轮,转动炉管,待管壁干净后排尽槽内酸性溶液,开启水阀冲水,继续转动炉管;6、待水质达到13MΩ时,排尽槽内水,炉管晾干待装。该设备存在如下缺陷:浸泡式酸处理浪费化剂和水,并且会损伤炉管表面耐高温层,缩短炉管寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种扩散炉清洗装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种扩散炉清洗装置,包括槽体本体,所述槽体本体上设有2个单独的同级清洗槽,所述槽体本体内部安装有旋转电机,所述旋转电机外接齿轮连接2根旋转轴,所述旋转轴上装有滚轮,所述滚轮上装有2根软质皮带,处理管道时与管道接触,在靠近旋转电机侧,两根旋转轴的中间位置设有一根进水管,所述进水管由机台底部引出,电磁阀控制进水开关,所述进水管口接PP材质软管,所述槽体本体尾端设有排液口。

优选的,所述排液口设有网罩,所述网罩包括框体,所述框体内侧安装有滤网,所述框体采用环形结构,所述滤网采用石墨烯材料制成。

优选的,所述软质皮带采用耐酸尼龙材料制成。

优选的,所述旋转电机采用伺服电机。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型保护了炉管的高温涂层,延长了炉管的使用寿命;降低了了炉管清洗工序的成本,单次化学试剂消耗量降低50%。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型网罩结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

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