[实用新型]一种新型硅单晶炉腔室焊接结构

说明书

本实用新型公开了一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，包括主炉体和内壁体，所述主炉体上端焊接固定有上法兰，且主炉体下端焊接固定有下法兰，所述内壁体设置于主炉体内侧，且主炉体内部镶嵌设置有密封圈，所述密封圈设置有预留凹槽，且预留凹槽另一侧设置有进水口，所述主炉体一侧开设有预留开槽。该新型硅单晶炉腔室焊接结构，在下法兰背面上加工宽12mm、深20mm的预留开槽，第一是为了通冷却水冷却法兰，二是焊接时离子弧不会穿透，在焊接内壁板的位置加工mm凸台高于法兰背面，这样整体焊缝就高于法兰背面，有利于焊接保护气体保护，除净焊接区的污渍和油脂，焊缝位置不开坡口，焊接时不添加填充金属（焊丝），直接熔融金属母材。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅炉腔室焊接结构技术领域，具体为一种新型硅单晶炉腔室焊接结构。

背景技术

单晶硅炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，单晶硅生长炉是生产太阳能电池所需单晶硅的拉晶装置，它主要由副室、翻板箱、炉盖、主炉室、下炉室、炉底板六大部分组成；随着单晶硅太阳能电池需求的不断增加，市场竞争也日趋激烈，提高单晶硅炉设备的生产效率和降低制造成本越来越受到重视，本实用新型专利能大大提高单晶硅炉中的主炉室生产效率。

市场上的单晶硅炉腔室焊接结构，焊接部件需加工焊接坡口，增加加工工序，加工成本增加，焊接厚板坡口较大，需多道焊接才能焊满坡口，过程需加丝，焊接效率低，热影响区大，焊接后法兰变形较大，焊接后需整形，留的精加工余量也需多于等离子弧焊，背面需清根处理，再焊接，增加焊接工序，且清根后焊接焊缝质量不可控的问题，为此，我们提出一种新型硅单晶炉腔室焊接结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，以解决上述背景技术中提出的单晶硅炉腔室焊接结构，焊接部件需加工焊接坡口，增加加工工序，加工成本增加，焊接厚板坡口较大，需多道焊接才能焊满坡口，过程需加丝，焊接效率低，热影响区大，焊接后法兰变形较大，焊接后需整形，留的精加工余量也需多于等离子弧焊，背面需清根处理，再焊接，增加焊接工序，且清根后焊接焊缝质量不可控的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，包括主炉体和内壁体，所述主炉体上端焊接固定有上法兰，且主炉体下端焊接固定有下法兰，所述内壁体设置于主炉体内侧，且主炉体内部镶嵌设置有密封圈，所述密封圈设置有预留凹槽，且预留凹槽另一侧设置有进水口，所述主炉体一侧开设有预留开槽。

优选的，所述上法兰通过主炉体与下法兰构成固定结构，且上法兰和下法兰关于主炉体的纵向中心线呈对称结构。

优选的，所述密封圈的外侧与主炉体的内侧紧密贴合，且主炉体的横向中心线与主炉体的横向中心线完全重合。

优选的，所述预留凹槽的纵向中心线与下法兰的纵向中心线重合于同一条直线，且密封圈通过预留凹槽与主炉体构成卡合结构。

优选的，所述预留开槽的口径宽12mm、深20mm，且预留开槽关于主炉体的纵向中心线呈对称结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型通过上法兰和下法兰与内壁体焊接采用自动等离子弧焊，无需加工坡口，背面不加衬垫，背部充入氩气保护，单面焊一次能焊透金属的整体厚度，缩短焊接时间，提高了焊接效率。

2、本实用新型主炉体上下两端的上法兰和下法兰设有低于法兰面的预留凹槽，用于冷却水循环流动，冷却深入上法兰和下法兰的内部位置，保护密封圈不会因为高温熔化，出现泄露真空现象，提高该单晶炉腔室焊接结构的稳定性。