[实用新型]双面减薄的装置

说明书

本实用新型公开了双面减薄的装置，包括：环状保持器，所述环状保持器包括承载环和静压环，所述承载环沿径向支撑加工工件的外周侧，通过所述承载环带动加工工件在竖直方向上转动，所述静压环沿着径向固定设置在承载环的外周侧；两个静压垫，分别为第一静压垫和第二静压垫，所述两个静压垫分别对称地设置在环状保持器的两侧；进击轴，所述进击轴设置在静压垫的下部开孔处，沿着轴向移动，所述进击轴上的砂轮通过开孔直接研磨加工工件，所述第一静压垫与第二静压垫的间距为D₀+130～D₀+150微米。由此，采用该装置可相对地提升生产的稳定性，降低机台调试的频率。

技术领域

本实用新型属于减薄装置技术领域，具体涉及一种双面减薄的装置。

背景技术

双面减薄是正常使用多线切割后，用来均匀移除在多线切割时造成的损伤层。

目前，DXSG320机台为常用的双面减薄装置，首先将加工工件放置在承载环上，承载环转动带动工件转动，设置在进击轴上的砂轮对硅片两面进行研磨。减薄过程中，在研削室有限空间内，工件竖直方向上轴向转动不可避免会发生一定的偏摆，偏摆量大的情况会导致工件翘曲变形严重，影响后续工序中产品的纳米形貌。在生产过程中，需要不断地调整砂轮偏摆位置，以保证产品品质的稳定。

因两相对静压垫之间的间隔，直接影响到研削室空间。为控制研削室内各部件的平行度及偏摆量，需依据不同工艺条件的加工工件，调整研削室空间，以提升工艺的稳定性。

对此，现有的双面减薄装置有待进一步改进。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的目的在于提出一种双面减薄的装置，在该装置主体硬件结构无改变的情况下，拓宽生产条件的范围，相对地提升设备生产稳定性，降低机台调制频率，提高产品品质的稳定性。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种双面减薄的装置，根据本实用新型实施例，所述装置包括：

环状保持器，所述环状保持器包括承载环和静压环，所述承载环沿径向支撑加工工件的外周侧，通过所述承载环带动加工工件在竖直方向沿轴向转动，所述静压环沿着径向固定设置在承载环的外周侧，

两个静压垫，分别为第一静压垫和第二静压垫，所述两个静压垫分别对称地设置在环状保持器的两侧，

进击轴，所述进击轴设置在所述静压垫的下部开孔处，沿着轴向方向移动，所述进击轴上的砂轮通过开孔直接研磨加工工件，

所述第一静压垫与第二静压垫的间距为D₀+130～D₀+150微米，其中D₀为加工工件初始厚度，单位为微米。

本实用新型目的是在拓宽生产条件范围的前提下，进一步地提高双面减薄装置的稳定性及平行度，其中加工工件在研削室内的自由度对其影响最大，而两个静压垫的间隙直接影响到加工工件的自由度。发明人在实际运行中发现，当偏摆空间过小，会导致加工工件的自由度较小，则造成加工工件的偏摆空间较小，会导致当调整砂轮的偏摆幅度大于加工工件的偏摆空间时，砂轮的偏摆容易造成加工工件挤压，使得研磨条件不稳定或纳米形貌不佳；当偏摆空间过大，会导致加工工件的自由度较大，则造成加工工具的偏摆空间远大于设备砂轮可调整的偏摆幅度，导致加工工件在加工时候会有额外的偏摆空间，其加工工件的偏摆会使得研磨条件不稳定或纳米形貌不佳。

本实用新型双面减薄装置的硬体主结构中砂轮参数的调整上限为50微米，若大于50 微米需重置原点后才能再做调整，增加机台调试频率，使得研磨条件不稳定，所以设定静压环偏摆量的上限为50微米，作为其最大自由度的条件。经过大量的实验发现，静压环偏摆量的下限为40微米，若小于40微米，偏摆量小造成工件挤压现象的时常发生。