[实用新型]一种CVD金刚石基体片式电阻器有效
| 申请号： | 201922184755.2 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN210606834U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈雷;王元宇;许春宁;杨佳鸣 | 申请（专利权）人： | 四川永星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 房立普 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 金刚石 基体 电阻器 | ||
【权利要求书】：
1.一种CVD金刚石基体片式电阻器，其特征在于，包括CVD金刚石基体(1)和设置在所述CVD金刚石基体(1)上的导电层(2)、氮化钽电阻层(3)，所述导电层(2)包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层(3)、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体(1)的正面上，所述氮化钽电阻层(3)两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体(1)的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。
2.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石基体片式电阻器，其特征在于，所述凹槽的个数为两个，并行设置在上端部分靠近CVD金刚石基体(1)侧面的一端。
3.根据权利要求2所述的一种CVD金刚石基体片式电阻器，其特征在于，所述下端部分全部覆盖住所述CVD金刚石基体(1)下端面以及背面。
4.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石基体片式电阻器，其特征在于，所述导电层(2)、氮化钽电阻层(3)均采用薄膜光刻的工艺制作。
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