[实用新型]功率检测器

权利要求书

1.一种功率检测器，其特征在于，包括：信号衰减单元、功率检测单元和加法运算单元；

所述功率检测单元的输入端通过所述信号衰减单元接入待测信号或所述功率检测单元的输入端直接接入所述待测信号，所述功率检测单元的输出端与所述加法运算单元连接。

2.根据权利要求1所述的功率检测器，其特征在于，所述信号衰减单元采用电容阵列，所述电容阵列包括电容组，且所述功率检测单元的数量与所述电容组的数量相等；所述电容组包括第一电容和第二电容，所述第一电容的电容值与所述第二电容的电容值的比值为预设比例。

3.根据权利要求2所述的功率检测器，其特征在于，所述第一电容的一端接入所述待测信号，所述第一电容的另一端与所述第二电容一端连接，且所述第一电容的另一端输出衰减信号，并将所述衰减信号输入至所述功率检测单元，所述第二电容的另一端接地。

4.根据权利要求2所述的功率检测器，其特征在于，所述电容阵列一端接入所述待测信号，另一端输出衰减信号，并将所述衰减信号输入至所述功率检测单元；所述电容组相互之间串联连接，且两个所述电容组的连接处输出另一衰减信号，并将另一所述衰减信号输入至另一功率检测单元。

5.根据权利要求4所述的功率检测器，其特征在于，所述电容阵列包括两个电容组，分别为第一电容组和第二电容组；所述第一电容组的第一电容的一端接入所述待测信号，所述第一电容组的第一电容的另一端分别与所述第一电容组的第二电容的一端、另一所述功率检测单元、所述第二电容组的第一电容的一端连接，所述第二电容组的第一电容的另一端分别与所述第二电容组的第二电容的一端、所述功率检测单元连接，所述第一电容组的第二电容的另一端及所述第二电容组的第二电容的另一端均接地。

6.根据权利要求1所述的功率检测器，其特征在于，所述功率检测单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻和两个第二电阻；

所述第一NMOS管的栅极接入衰减信号，并与一个所述第二电阻的一端连接，一个所述第二电阻的另一端接入第一电压，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极连接；

所述第二NMOS管的栅极与另一所述第二电阻的一端连接，另一所述第二电阻的另一端接入第一电压，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接；

所述第一PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接，且连接处与所述第四PMOS管的源极连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，且连接处与所述第二PMOS管的源极连接；所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的漏极、所述第三PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的漏极均接入第二电压；所述第三PMOS管的源极产生输出信号，并与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端接地。

7.根据权利要求6所述的功率检测器，其特征在于，所述第一PMOS管与所述第四PMOS管的物理尺寸比例为1:1；所述第二PMOS管与所述第三PMOS管的物理尺寸比例为1：N，N为预设值。

8.根据权利要求6所述的功率检测器，其特征在于，所述第一电阻的阻值保证所述第三PMOS管工作在饱和区。

9.根据权利要求1所述的功率检测器，其特征在于，所述功率检测单元的数量至少为二。

10.根据权利要求1所述的功率检测器，其特征在于，所述加法运算单元包括运算放大器、第三电阻和第四电阻；

所述运算放大器的同相输入端分别通过第五电阻接入输出信号，反相输入端分别与所述第三电阻的一端、所述第四电阻的一端的连接，所述第三电阻的另一端接地，所述第四电阻的另一端与所述运算放大器的输出端连接，所述运算放大器的输出端产生最后的输出信号。