[实用新型]电镀环及电镀设备

说明书

该实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种电镀环及电镀设备。该装置包括：电镀环，用于放置晶圆；定位销，位于电镀环上，用于稳固晶圆；所述定位销分为两部分：与电镀环连接的基座部，与晶圆接触的接触部；其中，所述接触部设计为椭圆柱结构；腔体，用于进行晶圆清洁工艺。本实用新型通过对定位销与晶圆接触的接触部进行改进，新的结构设计可以减少化学剂和水的接触面积，有利于对晶圆在旋转时表面化学试剂和纯水的排出起到引流。因此，可以达到良好的清洁效果，从而提高晶圆电镀工艺的良品率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种电镀环及电镀设备。

背景技术

随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，半导体器件互连布线的密度急剧增加，导致互联系统中电阻、电容带来的RC耦合寄生效应迅速增加，影响了器件的速度。其中，随着线宽的逐渐减小，金属线的阻值也变的越来越大。因此器件对金属线的要求越来越高。铜作为一种低阻值，抗电子迁移性能好的金属被广泛应用于金属导线的制作。但由于铜金属具有不易刻蚀和副产物难挥发的特性，因此金属线主要用电镀工艺进行制作。

目前半导体电镀工艺制作金属线时，由于晶圆需要和电镀液接触，因此在电镀制程结束时，需要将晶圆表面的电镀液清洁干净，以防止残留的酸导致铜金属残留在晶圆表面。因此，如何避免晶圆表面特定的位置残留酸是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电镀环及电镀设备，应用于电镀工艺，通过对电镀环结构设计的改善，防止清洁过后晶圆表面特定的位置残留酸，从而提高晶圆电镀工艺的良品率。

为解决上述技术问题，本实用新型中提供了一种电镀环，其特征在于：

电镀环，用于放置晶圆；

定位销，位于电镀环上，用于稳固晶圆；

所述定位销分为两部分：与电镀环连接的基座部，与晶圆接触的接触部；

其中，所述接触部设计为椭圆柱结构。

可选的，所述接触部倾斜设置在所述基座部上。

可选的，所述椭圆柱结构的高为3-8mm。

可选的，所述接触部设计为至少两个间隔排列的椭圆柱结构。

可选的，所述间隔排列的椭圆柱结构之间间隔为1-2mm。

可选的，所述椭圆柱结构的端面为椭圆形，端面长轴为4-10mm，端面短轴为2-4mm。

可选的，所述接触部设计为单个椭圆柱结构。

可选的，所述接触部设计为单个椭圆柱结构，所述椭圆柱结构的端面为椭圆形，端面长轴为6-10mm，端面短轴为3-6mm。

可选的，所述椭圆柱和晶圆接触点的切面方向，与所述椭圆柱结构端面的长轴夹角为30-90度。

本实用新型的的技术方案还提供一种电镀设备，所述电镀设备采用如上任一项所述的电镀环构成，所述电镀设备包括：

电镀机台，用于进行晶圆电镀工艺；

腔体，用于进行晶圆清洁工艺；

以及如上述的电镀环。

本实用新型的优点在于，相较于现有的半导体技术中电镀工艺，本实用新型主要针对定位销与晶圆接触的接触部进行改进，新的结构设计可以减少化学剂和水的接触面积，有利于在旋转清洁时对晶圆表面化学试剂和纯水的排出起到引流。另外，增加晶圆冲洗的时间与转速，可以达到良好的清洁效果，从而提高晶圆电镀工艺的良品率。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中的定位销与晶圆接触的接触部的结构示意图；