[实用新型]一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头有效

专利信息
申请号: 201922165354.2 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN211516377U 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 邱雅祉;刘金波;付玉磊;李向前;付廷喜 申请(专利权)人: 天津伍嘉联创科技发展股份有限公司
主分类号: B23K11/36 分类号: B23K11/36;B23K11/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300451 天津市滨海新*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 优化 晶体 压痕 预装 点焊 吸头
【说明书】:

实用新型涉及晶体焊接设备技术领域,且公开了一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头,包括弹性缓冲座和晶体基座,所述弹性缓冲座上安装有安装座,所述安装座通过安装螺钉安装有预装点焊吸头,所述预装点焊吸头两侧均安装有预装点焊焊轮。该优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头,通过将预装点焊吸头的压痕设置在晶体上盖的边缘处,使得该压痕区域会在后续滚动焊接时,会被滚动焊接的焊痕区域覆盖,避免产生多余的痕迹,使晶体焊接设备的产品品质得到提高,并且,该预装点焊吸头允许产生压痕,对吸附平面的粗糙度要求大幅下降,制作成本下降,提高了晶体焊接设备的经济性。

技术领域

本实用新型涉及晶体焊接设备技术领域,具体为一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头。

背景技术

预装点焊吸头用于吸附晶体上盖的吸附平面有两种形状,一种为用于吸附大规格晶体上盖的圆形吸附平面,一种为用于吸附小规格晶体上盖的方形吸附平面,预装点焊吸头在吸附晶体上盖后,此两种形状吸附平面均在晶体上盖的外边缘以内,即吸附平面比晶体上盖小,预装点焊吸头在将晶体上盖放在晶体基座的焊接环上时,由于晶体基座内部为空腔,吸附平面带动晶体上盖下压,晶体上盖向晶体基座空腔内下凹变形,使得吸附平面会在晶体上盖上留下压痕,为减轻这种压痕,预装点焊吸头的吸附平面通常会镜面抛光至粗糙度0.025微米以内,并需人工调整吸附平片与晶体基座所在料盘的平行度。

现有技术中,严苛的镜面抛光要求使得预装点焊吸头的制作成本高,当适用于更小规格的晶体上盖时,过小的吸附平面制作难度更大,且在设备的生产过程中需定期拆下预装点焊吸头进行吸附平面的修整,维护成本高,随着技术的发展,电子产业中的晶体尺寸越小,预装点焊吸头的制作难度和成本越大,维护周期越短,维护成本越大,操作人员的调整难度越大,此种预装点焊吸头的弊端日益明显,需要进行优化。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头。

(二)技术方案

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头,包括弹性缓冲座和晶体基座,所述弹性缓冲座上安装有安装座,所述安装座通过安装螺钉安装有预装点焊吸头,所述预装点焊吸头两侧均安装有预装点焊焊轮。

优选的,所述安装座上设有吸真空组件,所述预装点焊吸头上吸附有晶体上盖。

优选的,所述晶体基座上设有焊接环。

优选的,所述弹性缓冲座在预装点焊吸头运动方向上设有缓冲组件。

优选的,所述预装点焊吸头的吸附平面在宽度方向宽于所吸附的晶体上盖的宽度。

优选的,所述晶体基座设在预装点焊吸头的下方。

(三)有益效果

与现有技术相比,本实用新型提供了一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头,具备以下有益效果:

1、该优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头,通过将预装点焊吸头的压痕设置在晶体上盖的边缘处,使得该压痕区域会在后续滚动焊接时,会被滚动焊接的焊痕区域覆盖,避免产生多余的痕迹,使晶体焊接设备的产品品质得到提高,并且,该预装点焊吸头允许产生压痕,对吸附平面的粗糙度要求大幅下降,制作成本下降,提高了晶体焊接设备的经济性。

2、该优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头,通过将预装点焊吸头的吸附平面在宽度方向设置成宽于所吸附的晶体上盖的宽度,使得此方向的金属结构相对稳固,进而使预装点焊吸头的制作难度下降,提高了晶体焊接设备的扩展性能,另外,该预装点焊吸头更换修整频率相比传统预装点焊吸头大幅下降,维护成本下降,提高了客户的满意度。

附图说明

图1为本实用新型的机构爆炸图;

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