[实用新型]一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头有效
| 申请号： | 201922165354.2 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN211516377U | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 邱雅祉;刘金波;付玉磊;李向前;付廷喜 | 申请（专利权）人： | 天津伍嘉联创科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K11/36 | 分类号： | B23K11/36;B23K11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300451 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 晶体 压痕 预装 点焊 吸头 | ||
【权利要求书】：
1.一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，包括弹性缓冲座(1)和晶体基座(7)，其特征在于：所述弹性缓冲座(1)上安装有安装座(2)，所述安装座(2)通过安装螺钉(4)安装有预装点焊吸头(3)，所述预装点焊吸头(3)两侧均安装有预装点焊焊轮(5)。
2.根据权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述安装座(2)上设有吸真空组件，所述预装点焊吸头(3)上吸附有晶体上盖(6)。
3.根据权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述晶体基座(7)上设有焊接环(8)。
4.根据权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述弹性缓冲座(1)在预装点焊吸头(3)运动方向上设有缓冲组件。
5.根据权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述预装点焊吸头(3)的吸附平面在宽度方向宽于所吸附的晶体上盖(6)的宽度。
6.根据权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述晶体基座(7)设在预装点焊吸头(3)的下方。
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