[实用新型]一种磁控溅射镀膜仪换样装置

说明书

本实用新型公开了一种磁控溅射镀膜仪换样装置，包括真空室主腔及真空室副腔，所述真空室主腔与真空室副腔之间中间腔室，所述中间腔室分别与真空室主腔与真空室副腔相连通，所述中间腔室内部设有导轨，所述导轨上配合设置导轨小车，所述导轨小车上设有基片储备盘，所述基片储备盘上沿其周向设有一组基片架，基片架上设有基片；所述导轨小车在导轨上水平移动，从而将基片架在真空室主腔与真空室副腔之间进行转移，进而实现基片的转移。本实用新型的有益效果是：通过设置中间腔室，并设置导轨及导轨小车，从而实现基片在真空室副腔和真空室主腔之间的快速高效转移，节省成本，缩减真空室空间。

技术领域

本实用新型涉及真空加工技术领域，具体涉及一种磁控溅射镀膜仪换样装置。

背景技术

磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

目前真空室副腔用来存放基片，通过真空机械手实现基片在真空室副腔和真空室主腔之间转移，这种技术方案造价高昂，需要的空间大，然而真空室的空间十分宝贵。本实用新型旨在实现基片在真空室副腔和真空室主腔之间的快速高效转移，节省成本，缩减真空室空间。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型的目的在于实现基片在真空室副腔和真空室主腔之间的快速高效转移，节省成本，缩减真空室空间。

本实用新型技术方案如下:

一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，包括真空室主腔及真空室副腔，所述真空室主腔与真空室副腔之间中间腔室，所述中间腔室分别与真空室主腔与真空室副腔相连通，所述中间腔室内部设有导轨，所述导轨上配合设置导轨小车，所述导轨小车上设有基片储备盘，所述基片储备盘上沿其周向设有一组基片架，基片架上设有基片；所述导轨小车在导轨上水平移动，从而将基片架在真空室主腔与真空室副腔之间进行转移，进而实现基片的转移。

所述的一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，所述真空室主腔内设有基片盘，所述基片盘上沿其周向设有基片盘边缘凸起，所述基片架的边缘处有楔形凸起，且楔形凸起与基片盘边缘凸起相配合，从而实现基片架的定位。

所述的一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，所述基片架采用拱门型结构，包括半圆形架体及设置在半圆形架体端部的长方形架体。

所述的一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，所述基片架端部设有销孔，所述基片架端部插接设置圆柱体托，且圆柱体托通过销轴插接安装在销孔上，实现与基片架的铰接，所述圆柱体托端部固定设置长方体托。

所述的一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，所述基片储备盘上设有固定端，所述长方体托与固定端插接配合。

所述的一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，所述圆柱体托左右位置分别设有左弹簧及右弹簧，且左弹簧及右弹簧）一端连接于圆柱体托上，另一端连接于基片架上。

所述的一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，所述中间腔室上设有插板阀，并通过插板阀将真空室主腔与真空室副腔之间进行分隔。

所述的一种磁控溅射镀膜仪换样装置，其特征在于，所述基片储备盘底部设有真空电机，所述真空电机与基片储备盘传动连接。

本实用新型的有益效果是：通过设置中间腔室，并设置导轨及导轨小车，从而实现基片在真空室副腔和真空室主腔之间的快速高效转移，节省成本，缩减真空室空间。

附图说明