[实用新型]一种能够提高机台利用率的透明晶圆有效
| 申请号: | 201922153834.7 | 申请日: | 2019-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN210535662U | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | 周华芳 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L23/29 |
| 代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 张巨箭 |
| 地址: | 610029 四川省成都市双流区中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 能够 提高 机台 利用率 透明 | ||
本实用新型公开了一种能够提高机台利用率的透明晶圆,属于半导体加工技术领域,所述透明晶圆(2)背面设有第一金属层(1),所述透明晶圆(2)正面包括mark区域(3)和图形区域(4),所述mark区域(3)设有对准mark图形(31),所述具有对准mark图形的mark区域(3)设有第二金属层(32)。本实用新型中的透明晶圆能够进一步提高机台的利用率,且机台能够对晶圆进行准确对准,保证了半导体加工工艺的精准度。
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种能够提高机台利用率的透明晶圆。
背景技术
目前用于集成电路芯片生产的晶圆,除常规的非透明晶圆如Si和GaAs晶圆外,也有很多透明晶圆如SiC或石英晶圆等。现有机台对晶圆的检测过程如图1所示,机台上的传感器发射端发出信号,无晶圆时,如图1(a)所示,传感器接收端接到信号,机台判定为无晶圆;若有非透明的晶圆,如图1(b)所示,机台上的传感器发射端发出信号,非透明晶圆将会反射发射端发出的信号,传感器接收端未接收到发射端发出的信号,机台认为存在晶圆,进行后续操作处理;对于透明晶圆,如图1(c)所示,机台上的传感器发射端发出的信号会透过透明晶圆到达传感器接收端,机台将判定不存在晶圆。
企业如何使现有机台能兼容不同透明度的晶圆的识别与对准,增加芯片产品种类,提高机台利用率,是业界遇到的一个难题。其次,在半导体加工技术中,对同一晶圆的加工需要不同的机台对其进行加工处理,那么如何保证透明晶圆在整个半导体加工过程中被不同机台进行识别与对准,是我们目前亟需解决的问题。半导体企业常用的方法是增加新的机台,或更改机台的晶圆识别传感器,以增强机台对晶圆的识别能力,使其能识别透明晶圆。上述方法带来的问题是企业成本增加,机台利用率不高,且机台改造容易造成机台的宕机,影响企业的正常运作。在此基础上,如何使用企业现有的机台对透明晶圆进行识别是业界亟需解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的机台无法准确识别透明晶圆的问题,提供一种能够提高机台利用率的透明晶圆。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种能够提高机台利用率的透明晶圆,所述透明晶圆背面设有第一金属层,所述透明晶圆正面包括mark区域和图形区域,所述mark区域设有对准mark图形,所述具有对准mark图形的mark区域设有第二金属层。
具体地,所述透明晶圆包括SiC晶圆、石英晶圆及其它材质的透明晶圆。
具体地,所述第一金属层具体为非透明金属层,所述第一金属层中的金属包括钨、钛和银。
具体地,所述第一金属层的厚度为300-5000埃,能够在节约成本的基础上保证机台准确识别到透明晶圆。具体地,所述第一金属层面积小于等于所述透明晶圆面积,且第一金属层面积不小于透明晶圆面积的40%,更优地,第一金属层的大小等于所述透明晶圆的大小,利于机台对透明晶圆进行识别。
具体地,透明晶圆正面设有至少两个mark区域,更优地,透明晶圆正面设有两个沿透明晶圆中心线对称的mark区域,用于消除旋转偏差的对准误差。
具体地,所述对准mark图形具体为“十”字形凹槽或矩形凹槽或其他形状的对准mark图形。
具体地,所述凹槽深度为500-3000埃,能够在节约成本的基础上保证实现透镜晶圆的对准。
具体地,所述第二金属层具体为非透光金属层,第二金属层中的金属包括但不限于钨、钛、银、金和镍。
具体地,所述第二金属层的厚度为100-3000埃,能够在节约成本的基础上,实现透明晶圆的对准。
与现有技术相比,本实用新型有益效果是:
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