[实用新型]一种磁控溅射反应设备的叠层膜镀膜靶材挡板

说明书

本实用新型公开了一种磁控溅射反应设备的叠层膜镀膜靶材挡板，包括溅射靶、挡板、支撑组件及转动机构，所述溅射靶包括第一靶材及第二靶材，所述挡板通过支撑组件可转动的固定在溅射靶上方，所述挡板左右两侧连接有转动机构，所述转动机构通过微型电机带动挡板转动，所述挡板用于转动遮挡第一靶材或第二靶材。本实用新型可以通过挡板的转动，精确控制叠层膜中单层膜的厚度，得到质量较高的均匀叠层膜。本实用新型减少了叠层膜镀膜过程中实验者时间的浪费以及失误的产生，延长了机构的使用寿命。并且，本实用新型避免了双靶溅射需要偏转两个靶的角度，并对溅射最小靶与基距有限制的问题，能在任意靶基距下垂直溅射均匀薄膜。

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种磁控溅射反应设备的叠层膜镀膜靶材挡板。

背景技术

磁控溅射设备是一种利用物理气相沉积法进行真空镀膜的实验仪器，通过电离出的离子轰击靶材，溅射出的靶材原子沉积在基片上制成薄膜，可以制备金属薄膜、半导体薄膜、高聚物薄膜等多种材质的薄膜以及共溅射膜、双层膜、叠层膜等多种结构的膜。

在进行磁控溅射镀叠层膜时，由两种靶材交替镀膜，层叠十几至几十层后得到叠层膜。现有机构在进行叠层膜制备时要用到两个如图1的溅射靶，通过钢杆的旋转控制片状挡板的位置，以实现对溅射中靶材的遮挡与露出。两靶偏转角度对准中间自转基底，当溅射一种膜A时，靶材A挡板打开，另一种靶材B挡板关上，溅射一定时间后，手动控制靶材A挡板关上，靶材B挡板打开，重复多次实现叠层膜的制备。

现有机构主要缺陷：现有机构靶材进行叠层膜制备时需要手动操作两个靶挡板的开合来控制样品台基板上镀膜的成分。现有机构短时间内频繁开合损耗较大。人工计时控制误差较大，且在镀膜总时间较长时，需要实验人员长时间操作，耗费人力，易产生失误。两个靶需要偏转一定角度对准中间，无法进行垂直溅射，易导致成膜不均匀。且靶-基距由于腔内结构限制不能过低。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术的缺陷，提供了一种磁控溅射反应设备的叠层膜镀膜靶材挡板，用于提高叠层膜中每层膜镀膜时间的精确度，减少人力消耗并延长机构寿命。

为了实现以上目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种磁控溅射反应设备的叠层膜镀膜靶材挡板，用于包括第一靶材及第二靶材的合成靶材，包括溅射靶、挡板、支撑组件及转动机构，所述挡板通过支撑组件可转动的固定在溅射靶上方，所述挡板左右两侧连接有转动机构，所述转动机构通过微型电机带动挡板转动，所述挡板用于转动遮挡第一靶材或第二靶材。微型电机为60KYTZ永磁同步电机。

进一步的，所述支撑组件包括挡板架及挡板架固定支脚，所述挡板架中空成环状，所述挡板架前后通过挡板架固定支脚固定在溅射靶上，所述挡板转动连接在挡板架的中空处。

进一步的，所述转动机构包括齿轮及连接杆，所述挡板设有与齿轮相啮合的挡板齿，所述齿轮啮合于挡板的两端，所述连接杆一端与齿轮连接，另一端与微型电机连接。

进一步的，所述挡板架内设有挡板轨迹槽及挡板架限位圈，所述挡板架限位圈凸起设于挡板架内并位于挡板轨迹槽处，所述挡板上设有与限位圈相适配的限位槽。

进一步的，所述挡板架两端设有齿轮安装槽，所述齿轮安装槽与挡板轨迹槽连通。

进一步的，所述挡板为半圆形挡板，所述挡板外周设有挡板齿。

进一步的，所述挡板左右两侧的转动机构交替带动挡板转动。

采用本实用新型技术方案，本实用新型的有益效果为：与现有技术相比，本实用新型可以通过挡板的转动，精确控制叠层膜中单层膜的厚度，得到质量较高的均匀叠层膜。本实用新型减少了叠层膜镀膜过程中实验者时间的浪费以及失误的产生，延长了机构的使用寿命。并且，本实用新型避免了双靶溅射需要偏转两个靶的角度，并对溅射最小靶与基距有限制的问题，能在任意靶基距下垂直溅射均匀薄膜。