[实用新型]一种半导体的制作治具及制作设备

说明书

一种半导体制作治具及制作设备，用于承载半导体或者衬底绝缘，对半导体材料或者衬底材料上的光刻胶进行曝光，利用治具的反射率差异，控制不同区域的曝光能量分布强度，从而实现对不同区域的光刻胶移除量控制，最终得到合适的光刻胶图形。

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，具体涉及一种半导体的制作治具或者制作设备。

背景技术

在半导体制造中，利用光学和化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，通过光罩板将图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。

随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。

参看图1和图2，治具为一载台，用于承载晶片，通过控制机构控制载台蛇形走动曝光，因光刻胶的上胶机上胶后，由于惯性的原因，存在外围胶膜厚偏厚现象，正常曝光能量不足以曝开，导致外围无法正常开出规格需求图形。

实用新型内容

本实用新型公开了一种半导体的制作治具，治具例如为一种曝光机用的托盘。

曝光机为一般印刷电路板、半导体芯片或者衬底片在进行曝光显影制程时常用的设备。曝光机投射的光束需要以透镜组修正为平行光再投射至工作对象上，如此方能确保工作对象受到均匀光照。

一般而言，曝光机工作时，工作对象平放而光束自工作对象上方向下投射以照射工作对象。工作对象上方需要配置光源以及透镜组并且预留光束投射路径的空间。

曝光机的工作原理是将光罩板的工作底片和待曝光晶片在外部的对位区进行对位工作，这里的外部对位区主要指的是光刻胶，然后在曝光室内，把工作底片的图样借由曝光的程序复制到待曝光晶片上，工作底片例如光罩板。

曝光机的对位原理是各摄影机镜头捕捉底片上的标靶与对位标记相重叠的图像，并作相应的框架调整，以使图像的对位精度达到工艺要求。

在对半导体晶圆或者衬底晶圆上的光刻胶进行曝光时，治具用于承载晶圆，晶圆至少部分为透明或者半透明材料，治具与晶圆接触的一侧具有反射面，反射面的反射率具有分布变化，在需要增强光移除效果的对应位置反射率增高。

治具反射面的反射率根据特定的光刻胶移除率进行变化，移除率要求高的地方反射率高于移除率要求低的地方。

在晶圆曝光工艺中，由于上胶工艺的限制，在晶圆边缘处的光刻胶厚度往往大于中心位置的光刻胶厚度，通常的均匀曝光工艺无法对边缘位置的光刻胶进行有效移除，因此在本实用新型的一些实施例中将治具的边缘处反射面边缘处的反射率设计为高于反射面中心位置的反射率，这里的治具边缘主要指的是相对于摆放在治具上晶圆的位置，而并非绝对的边缘。

在一些实施例中，治具可设计为反射面的反射率从中心位置至边缘处，逐渐变高。

一种半导体的制作设备，用于对半导体晶圆或者衬底晶圆上的光刻胶进行曝光，并至少部分移除光刻胶，包括上述任意一项所述的半导体的治具。

制作设备具有曝光光源，曝光光源与治具的反射面位于晶圆的两侧。

本实用新型的治具可作为一种曝光机的反射托盘，其有益效果，至少包括：藉由托盘与晶圆接触面的反射面实现理想曝光分布，即控制光照强度分布，增加需要的曝光强度或者降低需要减弱的曝光强度。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明