[实用新型]一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件

说明书

本实用新型提供了一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件，涉及半导体技术领域。所述紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型Al_mGa_1‑mN层、发光有源区、p型复合电子阻挡层、p型Al_nGa_1‑nN层和接触层；其中，所述p型复合电子阻挡层包括沿生长方向依次形成的p型L1层和p型L2层。紫外发光器件能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光二极管的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件。

背景技术

因为紫外发光二极管具有环保无毒、耗电低、体积小以及寿命长等优点，符合新时代下环保、节能等要求。在紫外固化、空气与水净化、生物医疗、高密度储存、安全与保密通讯等领域，具有重要应用价值。

目前，紫外发光二极管技术面临的首要问题是其光效低。波长365nm的紫外发光二极管的输出功率仅为输入功率的5％－8％。对于波长385nm以上的紫外发光二极管的光电转化效率相对于短波长有明显提高，但输出功率只有输入功率的15％。如何有效提高紫外发光二极管的光效成为大家关注的焦点问题。

因此，设计一种紫外发光器件，能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光二极管的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率，这是目前急需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件，能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光器件的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率。

本实用新型提供一种技术方案：

一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型Al_mGa_1-mN层、发光有源区、p型复合电子阻挡层、p型Al_nGa_1-nN层和接触层；其中，所述p型复合电子阻挡层包括沿生长方向依次形成的p型L1层和p型L2层。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层采用p-AlInGaN形成，所述p型L2层采用p-AlGaN/AlInGaN超晶格形成。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层采用p-AlInGaN形成，所述p型L2层采用p-AlGaN形成。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层采用p-AlGaN形成，所述p型L2层采用p-AlGaN/AlInGaN超晶格形成。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层采用p-AlGaN形成，所述p型L2层采用p-AlInGaN形成。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层的厚度范围为：5nm～30nm，所述p型L2层的厚度范围为：5nm～30nm。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层和所述p型L2层中的p-AlGaN或者p-AlInGaN的Al组分值、In组分值在各自单层中是固定不变的，或者是线性渐变的。

在本实用新型较佳的实施例中，所述发光有源区由量子阱层和量子垒层交替生长而成。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层中的Al组分值和所述p型L2层中的Al组分值均大于所述量子垒层中的Al组分值。

在本实用新型较佳的实施例中，所述p型L1层中的In组分值和所述p型L2层中的In组分值均大于所述量子阱层中的In组分值。