[实用新型]一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件有效
| 申请号： | 201922133639.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN211350680U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 贺龙飞;赵维;张康;何晨光;吴华龙;刘云洲;王巧;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 赖俊科 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 新型 电子 阻挡 紫外 发光 器件 | ||
1.一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件，其特征在于，所述紫外发光器件包括衬底(110)和在所述衬底(110)上依次生长的低温缓冲层(120)、高温层(130)、n型AlmGa1-mN层(140)、发光有源区(150)、p型复合电子阻挡层(160)、p型AlnGa1-nN层(170)和接触层(180)；其中，所述p型复合电子阻挡层(160)包括沿生长方向依次形成的p型L1层(161)和p型L2层(162)。
2.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)采用p-AlInGaN形成，所述p型L2层(162)采用p-AlGaN/AlInGaN超晶格形成。
3.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)采用p-AlInGaN形成，所述p型L2层(162)采用p-AlGaN形成。
4.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)采用p-AlGaN形成，所述p型L2层(162)采用p-AlGaN/AlInGaN超晶格形成。
5.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)采用p-AlGaN形成，所述p型L2层(162)采用p-AlInGaN形成。
6.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)的厚度范围为：5nm～30nm，所述p型L2层(162)的厚度范围为：5nm～30nm。
7.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)和所述p型L2层(162)中的p-AlGaN或者p-AlInGaN的Al组分值、In组分值在各自单层中是固定不变的，或者是线性渐变的。
8.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)中的Al组分值和所述p型L2层(162)中的Al组分值均大于量子垒层中的Al组分值。
9.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其特征在于，所述p型L1层(161)中的In组分值和所述p型L2层(162)中的In组分值均大于量子阱层中的In组分值。
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