[实用新型]半导体结构及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，包括间隔设置的隔离结构及位于相邻两个所述隔离结构之间的第一有源区，所述第一有源区具有预设外延区；

预设半导体层，形成于所述预设外延区，所述预设半导体层的电子亲和能大于所述半导体衬底的电子亲和能；

栅介质层，形成于所述预设半导体层和所述半导体衬底共同构成的表面；

栅极层，形成于所述栅介质层的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设外延区具有向内凹陷的凹槽，所述预设半导体层形成于所述凹槽内。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设半导体层包括：

锗硅层，位于所述预设外延区，且所述锗硅层的厚度为2nm～15nm。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述预设半导体层还包括：

硅层，位于所述锗硅层远离所述半导体衬底的一侧，且所述硅层的厚度为0.1nm～2nm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底还包括第二有源区，所述第二有源区形成于所述隔离结构远离所述第一有源区的一侧。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层，包括：

界面层，形成于所述预设半导体层和所述半导体衬底共同构成的表面上，且覆盖于所述第一有源区及所述第二有源区的顶表面，并与所述预设半导体层远离所述半导体衬底的表面相接触；

第一介质层，形成于所述界面层上；

第二介质层，形成于所述第一介质层远离所述界面层的一侧，且与所述第二有源区正对设置。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述界面层的材料为氧化硅，所述第一介质层的材料为氧硅铪，所述第二介质层的材料为氧化镧。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的半导体结构。