[实用新型]一种抗干扰单工射频发射电路

说明书

本实用新型涉及射频发射电路技术领域，提供一种抗干扰单工射频发射电路，其中，在双模锁相环频率合成芯片的振荡输入引脚和振荡输出引脚之间电连接有晶振滤波电路，双模锁相环频率合成芯片的锁定检测引脚通过所述锁相显示电路接地，双模锁相环频率合成芯片的鉴相输出引脚通过环路滤波电路与压控谐振电路的输入端电连接，压控谐振电路的输出端通过分频电路与双模锁相环频率合成芯片的分频信号输入引脚电连接，压控谐振电路的输出端还通过功率放大电路与射频天线电连接，克服了抗干扰单工射频发射电路受到呈现环路锁相状态限制的问题，提升了抗干扰单工射频发射电路的抗干扰性和稳定性，提高了电路输出性能。

技术领域

本实用新型涉及射频发射电路技术领域，尤其涉及一种抗干扰单工射频发射电路。

背景技术

相关技术中，现有射频发射电路包括双模锁相环频率合成芯片O1、晶振、环路滤波电路、压控谐振电路、分频电路、功率放大电路和射频天线，双模锁相环频率合成芯片的振荡输入引脚通过晶振与双模锁相环频率合成芯片的振荡输出引脚电连接，使晶振与双模锁相环频率合成芯片构成参考频率振荡电路，双模锁相环频率合成芯片的鉴相输出引脚通过环路滤波电路与压控谐振电路的输入端电连接，压控谐振电路的输出端通过分频电路与双模锁相环频率合成芯片的分频信号输入引脚电连接，使双模锁相环频率合成芯片、晶振、环路滤波电路、压控谐振电路和分频电路构成锁相环电路，压控谐振电路的输出端还通过功率放大电路与射频天线电连接，借助于锁相环电路采用调节相位方式来抑制电压、温度和电磁波等干扰因素的特性，使锁相环电路、功率放大电路和射频天线构成抗干扰单工射频发射电路，确保了抗干扰单工射频发射电路发射射频信号的稳定性。

然而，上述抗干扰单工射频发射电路受到呈现环路锁相状态限制，有损电路输出性能。

实用新型内容

针对现有抗干扰单工射频发射电路受到呈现环路锁相状态限制，本实用新型提供一种简易调位传感设备，包括双模锁相环频率合成芯片O1、晶振滤波电路、锁相显示电路、环路滤波电路、压控谐振电路、分频电路、功率放大电路和射频天线，在所述双模锁相环频率合成芯片O1的振荡输入引脚振荡输出引脚电连接有所述晶振滤波电路，所述双模锁相环频率合成芯片O1的锁定检测引脚通过所述锁相显示电路接地，所述双模锁相环频率合成芯片O1的鉴相输出引脚通过所述环路滤波电路与所述压控谐振电路的输入端电连接，所述压控谐振电路的输出端通过所述分频电路与所述双模锁相环频率合成芯片O1的分频信号输入引脚电连接，所述压控谐振电路的输出端还通过所述功率放大电路与所述射频天线电连接。

进一步，所述晶振滤波电路包括晶振Z11、电容C11、电容C12和电阻R11，所述电容C11与所述电容C12串联后与所述晶振Z11并联，所述电容C11与所述电容C12之间的公共端接地，所述电阻R11的一端电连接在所述电容C12与所述晶振Z11之间的公共端上，所述晶振Z11与所述电容C11之间的公共端电连接在所述双模锁相环频率合成芯片O1的振荡输入引脚上，所述电阻R11的另一端电连接在所述双模锁相环频率合成芯片O1的振荡输出引脚上。

进一步，所述锁相显示电路包括发光元件LED和电阻R21，所述电阻R21的两端分别与所述双模锁相环频率合成芯片O1的锁定检测引脚和所述发光元件LED的正级电连接，所述发光元件LED的负极接地。