[实用新型]一种抗干扰单工射频发射电路

权利要求书

1.一种抗干扰单工射频发射电路，其特征在于，包括双模锁相环频率合成芯片O1、晶振滤波电路(1)、锁相显示电路(2)、环路滤波电路(3)、压控谐振电路(4)、分频电路(5)、功率放大电路(6)和射频天线(7)，在所述双模锁相环频率合成芯片O1的振荡输入引脚和振荡输出引脚之间电连接有所述晶振滤波电路(1)，所述双模锁相环频率合成芯片O1的锁定检测引脚通过所述锁相显示电路(2)接地，所述双模锁相环频率合成芯片O1的鉴相输出引脚通过所述环路滤波电路(3)与所述压控谐振电路(4)的输入端电连接，所述压控谐振电路(4)的输出端通过所述分频电路(5)与所述双模锁相环频率合成芯片O1的分频信号输入引脚电连接，所述压控谐振电路(4)的输出端还通过所述功率放大电路(6)与所述射频天线(7)电连接。

2.根据权利要求1所述的抗干扰单工射频发射电路，其特征在于，所述晶振滤波电路(1)包括晶振Z11、电容C11、电容C12和电阻R11，所述电容C11与所述电容C12串联后与所述晶振Z11并联，所述电容C11与所述电容C12之间的公共端接地，所述电阻R11的一端电连接在所述电容C12与所述晶振Z11之间的公共端上，所述晶振Z11与所述电容C11之间的公共端电连接在所述双模锁相环频率合成芯片O1的振荡输入引脚上，所述电阻R11的另一端电连接在所述双模锁相环频率合成芯片O1的振荡输出引脚上。

3.根据权利要求1所述的抗干扰单工射频发射电路，其特征在于，所述锁相显示电路(2)包括发光元件LED和电阻R21，所述电阻R21的两端分别与所述双模锁相环频率合成芯片O1的锁定检测引脚和所述发光元件LED的正级电连接，所述发光元件LED的负极接地。

4.根据权利要求1-3任一项所述的抗干扰单工射频发射电路，其特征在于，所述压控谐振电路(4)包括压控振荡芯片O2、电感L41、变容二极管VD1、变容二极管VD2、电阻R41、电阻R42、电容C41、电容C42、电容C43、电容C44和电容C45，所述电感L41的两端分别与所述变容二极管VD1的阳级和所述变容二极管VD2的阳极电连接，所述电感L41的一端与所述变容二极管VD1的阳极之间的公共端电连接在所述压控振荡芯片O2的偏压输出引脚上，所述电感L41的一端与所述变容二极管VD1的阳极之间的公共端还通过所述电容C41接地，所述电感L41的另一端与所述变容二极管VD2的阳极之间的公共端电连接在所述压控振荡芯片O2的谐振输入引脚上，所述变容二极管VD1的阴极与所述变容二极管VD2的阴极电连接，所述电阻R41的一端电连接在所述变容二极管VD1的阴极与所述变容二极管VD2的阴极之间的公共端上，所述电阻R41的另一端分别通过所述电阻R42、所述电容C42和所述电容C43接地，所述压控振荡芯片O2的电源引脚通过所述电容C44接地，所述压控振荡芯片O2的电压输出引脚通过所述电容C45接地，所述双模锁相环频率合成芯片O1的鉴相输出引脚通过所述环路滤波电路(3)电连接在所述变容二极管VD1的阴极与所述变容二极管VD2的阴极之间的公共端上，所述变容二极管VD1的阴极与所述变容二极管VD2的阴极之间的公共端为所述压控谐振电路(4)的输入端，所述压控振荡芯片O2的振荡信号输出引脚为所述压控谐振电路(4)的输出端。

5.根据权利要求4所述的抗干扰单工射频发射电路，其特征在于，所述分频电路(5)包括双模预置分频芯片O3、电容C51、电容C52、电容C53和电阻R51，所述双模预置分频芯片O3的电源引脚和开关控制引脚分别通过所述电容C51接地，所述双模预置分频芯片O3的输入引脚通过所述电容C52接地，所述双模预置分频芯片O3的模式控制引脚与所述双模锁相环频率合成芯片O1的模式控制引脚电连接，所述双模预置分频芯片O3的振荡信号输入引脚通过所述电容C53与所述压控振荡芯片O2的振荡信号输出引脚电连接，所述双模预置分频芯片O3的分频信号输出引脚与所述双模锁相环频率合成芯片O1的分频信号输入引脚电连接，所述双模预置分频芯片O3的分频信号输出引脚还通过所述电阻R51接地。