[实用新型]半导体结构

说明书

本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、第一焊料层、金属阻绝层以及第二焊料层，金属焊盘设置于半导体基底上；凸块设置于金属焊盘上；第一焊料层设置于凸块远离金属焊盘的一侧；金属阻绝层设置于第一焊料层远离凸块的一侧，金属阻绝层具有相隔离的第一容纳槽和第二容纳槽，第一容纳槽的槽口朝向远离第一焊料层的方向，第一焊料层设置于第二容纳槽内；第二焊料层设置于第一容纳槽内，且第二焊料层的部分凸出第一容纳槽的槽口。由于第一焊料层和第二焊料层具有回流高温熔融可伸缩的特性，由此自动进行高度调整，从而可以减少回流后，因受封装基板变形导致的非润湿的问题。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。凸点互连技术，以其良好的电学性能、抗电迁移能力，正成为下一代芯片窄间距互连的关键技术。

现有技术中，芯片倒装焊接过程中，封装基板受热会出现翘曲，芯片和基板会出现高度差，爬锡造成焊料量不足导致非润湿的问题，而焊料量太多又会导致凸块间焊料桥接的问题。

实用新型内容

本公开的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种半导体结构及其制造方法。

本实用新型提供了一种半导体结构，包括：

半导体基底；

金属焊盘，设置于半导体基底上；

凸块，设置于金属焊盘上；

第一焊料层，设置于凸块远离金属焊盘的一侧；

金属阻绝层，设置于第一焊料层远离凸块的一侧，金属阻绝层具有相隔离的第一容纳槽和第二容纳槽，第一容纳槽的槽口朝向远离第一焊料层的方向，第一焊料层设置于第二容纳槽内；

第二焊料层，设置于第一容纳槽内，且第二焊料层的部分凸出第一容纳槽的槽口。

在本实用新型的一个实施例中，金属阻绝层的截面为H型。

在本实用新型的一个实施例中，金属阻绝层与凸块间隔设置，金属阻绝层与凸块之间均设置有第一焊料层。

在本实用新型的一个实施例中，第一容纳槽内均设置有第二焊料层，第二容纳槽内均设置有第一焊料层。

在本实用新型的一个实施例中，凸块为铜柱，半导体结构还包括：

凸块下金属层，凸块下金属层的至少部分夹设于金属焊盘与凸块之间。

在本实用新型的一个实施例中，半导体结构还包括：

第一保护层，设置于半导体基底上，第一保护层具有第一开口，第一开口裸露部分金属焊盘。

在本实用新型的一个实施例中，凸块具有矩形截面，凸块下金属层均位于第一开口内，凸块的部分位于第一开口内。

在本实用新型的一个实施例中，半导体结构还包括：

第二保护层，设置于第一保护层上，第二保护层具有第二开口，第二开口的口径小于或等于第一开口的口径；

其中，凸块下金属层至少覆盖第二开口的底面及侧壁面，凸块下金属层的至少部分设置于第二开口内。

在本实用新型的一个实施例中，凸块具有T形截面，凸块的小端位于凸块下金属层内部，凸块的大端位于凸块下金属层的外部。

在本实用新型的一个实施例中，凸块下金属层的部分位于第二开口外，凸块下金属层的周向外边缘与凸块下金属层的大端的周向外边缘在同一个平面上的投影相重合。