[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201922109340.9 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN210640233U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体基底；
金属焊盘，设置于所述半导体基底上；
凸块，设置于所述金属焊盘上；
第一焊料层，设置于所述凸块远离所述金属焊盘的一侧；
金属阻绝层，设置于所述第一焊料层远离所述凸块的一侧，所述金属阻绝层具有相隔离的第一容纳槽和第二容纳槽，所述第一容纳槽的槽口朝向远离所述第一焊料层的方向，所述第一焊料层设置于所述第二容纳槽内；
第二焊料层，设置于所述第一容纳槽内，且所述第二焊料层的部分凸出所述第一容纳槽的槽口。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属阻绝层的截面为H型。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属阻绝层与所述凸块间隔设置，所述金属阻绝层与所述凸块之间均设置有所述第一焊料层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一容纳槽内均设置有所述第二焊料层，所述第二容纳槽内均设置有所述第一焊料层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块为铜柱，所述半导体结构还包括：
凸块下金属层，所述凸块下金属层的至少部分夹设于所述金属焊盘与所述凸块之间。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
第一保护层，设置于所述半导体基底上，所述第一保护层具有第一开口，所述第一开口裸露部分所述金属焊盘。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块具有矩形截面，所述凸块下金属层均位于所述第一开口内，所述凸块的部分位于所述第一开口内。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
第二保护层，设置于所述第一保护层上，所述第二保护层具有第二开口，所述第二开口的口径小于或等于所述第一开口的口径；
其中，所述凸块下金属层至少覆盖所述第二开口的底面及侧壁面，所述凸块下金属层的至少部分设置于所述第二开口内。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块具有T形截面，所述凸块的小端位于所述凸块下金属层内部，所述凸块的大端位于所述凸块下金属层的外部。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块下金属层的部分位于所述第二开口外，所述凸块下金属层的周向外边缘与所述凸块下金属层的大端的周向外边缘在同一个平面上的投影相重合。
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