[实用新型]一种物理气相沉积设备

说明书

一种物理气相沉积设备，包括除气室、等离子体室以及反应室，其中除气室用以去除半导体组件上的水分，等离子体室通过感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，以及反应室对半导体组件实施镀膜工艺以在半导体组件的表面形成金属基膜。本实用新型披露的物理气相沉积设备通过等离子体室内的感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，如此一来可以降低半导体组件上外延层不必要的损伤，进而提升半导体组件的可靠度。

技术领域

本实用新型关于一种物理气相沉积设备，特别是关于一种对半导体组件实施镀膜工艺的物理气相沉积设备。

背景技术

半导体组件的制备工艺中，尤其是制备三五族半导体组件，例如氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，在实施外延工艺形成外延层后，还会通过物理气相沉积设备在三五族半导体组件的栅极、源极或漏极的奥姆金属(ohmic metal)上实施镀膜工艺形成金属基膜，以增加半导体组件的效能。现有的技术方案中，在实施镀膜工艺前会先实施喷溅蚀刻(sputter etching)工艺去除三五族半导体组件的外延层表面的原生氧化物(nativeoxide)。然而喷溅蚀刻工艺是通过氩气直接轰击外延层表面，如此一来容易造成外延层不必要的损伤。因此，仍有必要提供一种物理气相沉积设备解决现有技术方案实施时发生的问题。

实用新型内容

根据现有技术中所揭露的问题，本实用新型主要目的在于提供一种物理气相沉积设备，可以减少半导体组件的表面损伤，进而提升半导体组件的可靠度。

为达上述目的，本实用新型的一实施例提供物理气相沉积设备，包括除气室、等离子体室以及反应室，其中除气室用以去除半导体组件上的水分，等离子体室通过感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，以及反应室对半导体组件实施镀膜工艺以在半导体组件的表面形成金属基膜。

在一实施例中，等离子体室通过感应耦合式等离子体并以不加偏压的方式清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结。

在一实施例中，等离子体室将含氮气体作为等离子体介质。

在一实施例中，含氮气体包括氮气或氨气。

在一实施例中，金属基膜可以是氮化钛、钛或铝。

基于上述，本实用新型的实施例具有以下优点或功效。本实用新型披露的物理气相沉积设备中，由于在实施镀膜工艺之前先通过等离子体室内的感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，如此一来，可以降低半导体组件上外延层不必要的损伤，进而提升半导体组件的可靠度。

附图说明

图1是根据本实用新型所披露的技术，表示物理气相沉积设备的示意图；以及

图2是根据图1披露的物理气相沉积设备，表示通过物理气相沉积设备对半导体组件实施镀膜工艺的流程示意图。

具体实施方式

有关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图之一优选实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。为了使本实用新型的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本实用新型，在此配合所附的图式、具体阐明本实用新型的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下具体实施方式中所对照的附图，为表达与本实用新型特征有关的示意，并未也不需要依据实际情形完整绘制。而关于具体实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，也不再加以陈述。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本实用新型。