[实用新型]一种物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 201922093302.9 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN213245251U | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 钟瑞伦;吴俊鹏 | 申请（专利权）人： | 吴俊鹏;陈纪宇 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;H01L21/67;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括：
除气室，用以设置半导体组件，以及去除所述半导体组件上的水分；
等离子体室，用以清洁所述半导体组件的表面，以及用以填补所述半导体组件的表面悬浮键结；
反应室，用以在所述半导体组件的表面形成金属基膜；以及
真空系统，分别与所述除气室、所述等离子体室与所述反应室连通，以对所述除气室、所述等离子体室与所述反应室抽真空。
2.如权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述除气室通过真空烘烤工艺去除所述水分。
3.如权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述等离子体室通过感应式耦合等离子体介质清洁所述表面以及填补所述表面悬浮键结。
4.如权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述金属基膜可以是氮化钛、钛或铝。
5.如权利要求1-4所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述半导体组件更包含外延层。
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