[实用新型]一种MEMS传感器

说明书

本实用新型公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。

技术领域

本实用新型涉及MEMS器件技术领域，特别是涉及一种MEMS传感器。

背景技术

随着近年来科技不断的进步以及社会不断的发展，MEMS(微机电系统)得到了极大的发展，相应的作为MEMS传感器也得到了极大的发展，其已经广泛的应用于汽车、安防、生物医学、电力、智慧楼宇、森林防火、智能手机和物联网等领域。

在现阶段，MEMS传感器制作时通常采用晶圆级封装技术，晶圆级封装(WaferLevel Package，简称WLP)就是在硅片上依照类似半导体前段的工艺，通过薄膜、光刻、电镀、干湿法蚀刻等工艺来完成封装和测试，最后进行切割，制造出单个封装成品的一种先进的封装技术。与传统的金属封装或陶瓷封装相比，晶圆级封装可以大大减小封装后的器件尺寸，满足目前在移动设备中对小型化芯片的需求。同时无需使用金属或陶瓷管壳，能有效地降低器件的成本。

晶圆级封装结构主要包括两个部分，即传感器晶圆和封盖晶圆，通过键合技术将读出传感器晶圆和封盖晶圆结合在一起，形成一个闭合空间或一个可透光的气密视窗，晶圆级封装除了能够保护传感器芯片免于受到空气、灰尘和湿气等的影响，同时还可以避免传感器芯片受到机械力和辐射的影响，以及避免气密空间内灌注的保护气体外泄或真空状态的破坏。

目前现有技术的晶圆级封装结构中的吸气剂的位置在封盖晶圆的背面，即通常在MEMS传感器内部。一般通过刻蚀方法在封盖晶圆的背面形成一个深腔，将吸气剂设计在深腔内部，深腔在键合后形成密闭空间，在使用过程会热激活上述深腔内部吸气剂后在MEMS传感器内形成真空环境。

但是在现有技术中，通过热激活的方式激活吸气剂，容易对敏感的器件芯片有较大的热影响：过高的温度可能会降低器件芯片的性能，而过低的温度则吸气剂可能激活不完全，从而影响真空度。所以如何避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响是本领域技术人员急需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种MEMS传感器，可以有效避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种MEMS传感器，包括：

相对设置的传感器晶圆和封盖晶圆；所述封盖晶圆键合于所述传感器晶圆表面，所述传感器晶圆与所述封盖晶圆之间形成有封闭的空腔；

位于所述传感器晶圆朝向所述封盖晶圆一侧表面的传感器；所述传感器位于所述空腔内；

位于所述封盖晶圆朝向所述传感器晶圆一侧表面的吸气剂；所述吸气剂位于所述空腔内，所述封盖晶圆设置有对应所述空腔的通孔，所述通孔内设置有激活电极，所述激活电极与所述吸气剂相接触，所述封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个所述通孔。

可选的，所述激活电极裸露于所述封盖晶圆背向所述传感器晶圆一侧表面，设置有与激活电极接触的接触电极。

可选的，所述激活电极为铜电极和/或钨电极。

可选的，所述接触电极为以下任意一项或任意组合：

TiNiAu电极、TiNiAg电极、TiNiCu电极。

可选的，所述封盖晶圆朝向所述传感器晶圆一侧表面设置有空腔挡壁，所述空腔挡壁围成所述空腔；