[实用新型]一种MEMS传感器有效
| 申请号： | 201922072681.3 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN211847141U | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 孙传彬;陈文礼;陈文祥;公衍刚;战毅;董国强;牟晓宇;于晓辉 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 264006 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 | ||
1.一种MEMS传感器，其特征在于，包括：
相对设置的传感器晶圆和封盖晶圆；所述封盖晶圆键合于所述传感器晶圆表面，所述传感器晶圆与所述封盖晶圆之间形成有封闭的空腔；
位于所述传感器晶圆朝向所述封盖晶圆一侧表面的传感器；所述传感器位于所述空腔内；
位于所述封盖晶圆朝向所述传感器晶圆一侧表面的吸气剂；所述吸气剂位于所述空腔内，所述封盖晶圆设置有对应所述空腔的通孔，所述通孔内设置有激活电极，所述激活电极与所述吸气剂相接触，所述封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个所述通孔。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述激活电极裸露于所述封盖晶圆背向所述传感器晶圆一侧表面，设置有与激活电极接触的接触电极。
3.根据权利要求2所述的MEMS传感器，其特征在于，所述激活电极为铜电极和/或钨电极。
4.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其特征在于，所述接触电极为以下任意一项或任意组合：
TiNiAu电极、TiNiAg电极、TiNiCu电极。
5.根据权利要求1至4任一项权利要求所述的MEMS传感器，其特征在于，所述封盖晶圆朝向所述传感器晶圆一侧表面设置有空腔挡壁，所述空腔挡壁围成所述空腔；
所述空腔挡壁与所述传感器晶圆之间设置有焊料，以通过所述焊料键合所述传感器晶圆与所述封盖晶圆。
6.根据权利要求5所述的MEMS传感器，其特征在于，所述传感器晶圆朝向所述封盖晶圆一侧表面设置有凹槽，所述焊料位于所述凹槽内。
7.根据权利要求6所述的MEMS传感器，其特征在于，所述传感器晶圆朝向所述封盖晶圆一侧表面设置有焊料挡壁，所述焊料挡壁围成所述凹槽。
8.根据权利要求7所述的MEMS传感器，其特征在于，所述焊料挡壁为氮化硅焊料挡壁。
9.根据权利要求5所述的MEMS传感器，其特征在于，所述传感器晶圆为硅晶圆，所述传感器晶圆朝向所述封盖晶圆一侧表面设置有钛粘附层，所述焊料位于所述钛粘附层朝向所述封盖晶圆一侧表面。
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