[实用新型]一种具有辅助晶振的蒸发镀膜装置

说明书

本实用新型提供了一种具有辅助晶振的蒸发镀膜装置，包括真空腔室和设置在该真空腔室中的坩埚、坩埚遮挡盘、工件架、离子源、离子遮挡盘、主晶振、光学监控、辅晶振，所述坩埚内放置有蒸发材料，所述坩埚和离子源均置于真空腔室底部，所述坩埚遮挡盘和离子遮挡盘分别可转动式固定在坩埚和离子源的上方，所述用于监控镀膜参数的主晶振和光学监控均设置在真空腔室的顶部，所述用于监控材料蒸发参数的辅晶振设置在真空腔室的侧壁上，所述工件架位于主晶振下方。本实用新型在蒸发源侧壁上方增加辅晶振，在镀膜过程中对光斑位置进行监控，通过主晶振和辅晶振之间参数的比例，判断光斑位置是否变化，以及时对其进行调整，降低产品的不良率。

技术领域

本实用新型涉及一种蒸发镀膜装置，尤其是指一种具有辅助晶振的蒸发镀膜装置。

背景技术

蒸发镀膜常称真空镀膜。其特点是在真空条件下，材料蒸发并在玻璃表面上凝结成膜，再经高温热处理后，在玻璃表面形成附着力很强的膜层。而在镀膜过程中，需要对蒸发参数进行监控，防止因蒸发参数变异而导致产品不良。

现有一种石英晶体膜厚控制仪，其通过晶体振荡器控制锁膜厚度，原理是利用石英晶体片(简称晶体片、晶振片、晶控片)的谐振频率与膜层厚度之间的关系来监控膜层厚度及锁膜速率。

如图1所示，工件架上固定有待镀膜零件，其下方设置有一蒸发源。对于小平面蒸发源膜厚d，其函数表示为：

对于点蒸发源膜厚d，其函数表示为：

可得通用的任意一点的膜厚d函数表示：

式中：m为蒸发膜料总质量；ρ为材料密度；φ为蒸发角；θ为沉积角；r为蒸发距离；n为蒸发特性(蒸发角余弦的n次方,一般取1，2，3数字)；c为蒸发源蒸发常数。

在蒸发镀膜中，电子枪发出电子束的形状、大小以及落在坩埚材料上的位置等参数的改变，都会影响材料的蒸发参数，使材料到达工具架内外圈的比例发生变化，导致内外圈产品光谱特性变异，发生产品不良。电子束照射在蒸发材料时会产生一个光斑，为避免蒸发条件φ、θ、r因为光斑的位置变化而变化，需要将光斑的位置固定，但一般难以实现。又因为现在的镀膜监控是在工件架的中心点上进行监控的，在蒸发参数发生变化时不能够反映出来，从而导致材料蒸发分布变化，影响产品质量。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型目的在于提供一种具有辅助晶振的蒸发镀膜装置，具有可对光斑位置进行监控的功能，从而及时对其位置进行调整，提高产品良率。为实现上述之目的，本实用新型采取如下技术方案：

(二)技术方案

一种具有辅助晶振的蒸发镀膜装置，包括真空腔室和设置在该真空腔室中的坩埚、坩埚遮挡盘、工件架、离子源、离子遮挡盘、主晶振、光学监控、辅晶振，所述坩埚内放置有蒸发材料，所述坩埚和离子源均置于所述真空腔室底部，所述坩埚遮挡盘和离子遮挡盘分别可转动式固定在所述坩埚和离子源的上方，所述用于监控镀膜参数的主晶振和光学监控均设置在所述真空腔室的顶部，所述用于监控材料蒸发参数的辅晶振设置在所述真空腔室的侧壁上，所述工件架位于所述主晶振下方。

进一步，所述工件架为可旋转式的球形结构。

进一步，所述坩埚由一电子枪进行加热。

进一步，所述坩埚、坩埚遮挡盘和辅晶振的数量均为两个。

进一步，所述辅晶振的膜料接收面垂直于该接收面中心与所述坩埚中心的连接线。

进一步，所述坩埚和工件架之间设置有一可旋转的修正挡叶。

(三)有益效果