[实用新型]化学气相沉积系统

说明书

一种化学气相沉积系统包括承载台、喷洒头、及网筛。承载台用以承载晶圆；喷洒头具有多个喷孔且连接等离子体产生部；网筛设置于喷洒头与承载台之间，并相对于喷洒头的喷孔。其中，由射频电源提供射频电压，而于喷洒头与承载台之间产生电场，使得等离子体产生部产生等离子体，由喷孔喷洒出等离子体，且于喷洒头与承载台之间的电场是由网筛所隔离，采用可隔离电场的网筛，电场不会全部直接经过晶圆，仅有低等离子体碰触晶圆表面，以对晶圆的等离子体轰击，避免晶圆的外延晶格表面遭受破坏。

技术领域

本实用新型为提供一种化学气相沉积技术，特别是关于低等离子体轰击的等离子体增强化学气相沉积系统。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术目前普遍使用在半导体Ⅲ-Ⅴ族外延上的介电层或是保护层生长工艺上。请参考图1，图1是表示在现有技术中等离子体增强化学气相沉积系统的第一平面示意图，在图1中，等离子体增强化学气相沉积系统1利用喷洒头40连接射频电源作为上电极，且利用承载台30作为下电极，晶圆100置于承载台30上。在上、下电极之间施加射频电压而由等离子体产生部42产生等离子体，则于喷洒头40与承载台30之间会发生辉光放射的现象。等离子体产生部42所产生的等离子体从喷洒头40的喷孔41喷洒出并流动于此辉光放射的区域时，会放电解离而对晶圆100进行化学气相沉积，以于晶圆100的表面生长介电层或是保护层。

对于Ⅲ-Ⅴ族材料而言，外延表面的质量非常重要，等离子体增强化学气相沉积系统1由于电场会从晶圆100通过，等离子体的轰击容易破坏晶圆 100的外延表面，产生大量的缺陷(trap)，而使产品难以获得优异的特性；一旦晶圆100的外延表面被破坏后，外延质量会下降，进入后面的前端工艺与后端工艺后，会使整体工艺良率变差，而降低半导体器件的可靠度性能。

实用新型内容

为了改善现有技术所提及的缺失，本实用新型的目的是提供一种化学气相沉积系统，避免电场直接经过晶圆，降低等离子体对晶圆的轰击。

为达上述目的，本实用新型的化学气相沉积系统包括承载台、喷洒头、及网筛。承载台用以承载晶圆；喷洒头具有多个喷孔且连接等离子体产生部；网筛设置于喷洒头与承载台之间，并相对于喷洒头的喷孔。其中，由射频电源提供射频电压，而于喷洒头与承载台之间产生电场，使得等离子体产生部产生等离子体，由喷孔喷洒出等离子体，且于喷洒头与承载台之间的电场是由网筛所隔离。

基于上述，本实用新型的化学气相沉积系统设有可隔离电场的网筛，电场不会全部直接经过晶圆，仅有低等离子体碰触晶圆表面，以对晶圆的等离子体轰击，避免过程中晶圆的外延晶格表面遭受破坏。可避免整体晶圆的外延质量被破坏，以提升后续半导体前段工艺及后段工艺的可靠度性能。

附图说明

图1是表示在现有技术中，等离子体增强化学气相沉积系统的第一平面示意图。

图2是根据本实用新型技术，表示等离子体的化学气相沉积系统的第一平面示意图。

图3是根据本实用新型技术，表示等离子体的化学气相沉积系统中网筛的俯视示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本实用新型，在此配合所附的图式、具体阐明本实用新型的技术特征与实施方式，并列举优选实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本实用新型特征有关的示意，并不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，亦不再加以陈述。

在本实用新型中，所述的X轴、Y轴与Z轴系采用右旋的卡式坐标系。X 轴、Y轴、Z轴与原点的详细方向在本实用新型中，是依照各个图式内容所标示，其中X轴与Y轴所构成的平面定义为第一平面，X轴与Z轴所构成的平面为第二平面。