[实用新型]平板探测器有效
| 申请号: | 201922065689.7 | 申请日: | 2019-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN210429817U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
| 发明(设计)人: | 侯学成;尚建兴;商晓彬;李晓东 | 申请(专利权)人: | 北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/24;G01T1/20 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 周颖颖 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平板 探测器 | ||
本实用新型公开一种平板探测器,包括:基底,基底的一侧形成有栅线和读取信号线,栅线和读取信号线相互绝缘并交叉限定了多个检测单元,检测单元包括第一光电转换器、薄膜晶体管和第二光电转换器,第一光电转换器位于薄膜晶体管靠近基底的一侧,第二光电转换器位于薄膜晶体管背离基底的一侧,第一光电转换器和第二光电转换器均与薄膜晶体管的源极或漏极相连接;每个检测单元内的栅线、读取信号线、薄膜晶体管在基底上的正投影与第二光电转换器在基底上的正投影之间有间隙,第一光电转换器在基底上的正投影至少覆盖间隙。本实用新型利用第一光电转换器,吸收从上述间隙处透过的光,提高可见光的利用率,从而提高平板探测器的灵敏度。
技术领域
本实用新型一般涉及光电技术领域,具体涉及一种平板探测器。
背景技术
FPXD(Flat Panel X-ray Detector,X射线平板探测器)读取数据的准确性非常重要。为提高FPXD读取数据的准确性,需要保证产品具有较高的信噪比,即产品的噪声越小越好,由此在产品设计时,需要尽可能规避交叠电容、寄生电容。
现有的FPXD包括基底,基底上具有多个检测单元,每个检测单元包括一个薄膜晶体管和一个光电二极管,光电二极管位于薄膜晶体管远离基底的一侧,光电二极管具有与偏置电极相连接的第一极、与薄膜晶体管的源极或漏极相连的第二极,为保证产品的信噪比,规避交叠电容和寄生电容,设计产品时,薄膜晶体管的栅极层、源漏极与光电二极管的第二极之间预留有较大的间隙,由于光线会从间隙处漏掉,使得相当可观的可见光无法被光电二极管感测,造成产品的灵敏度降低。
实用新型内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种平板探测器。
本实用新型提供一种平板探测器,包括:基底,所述基底的一侧形成有多条平行的栅线和多条平行的读取信号线,所述栅线和所述读取信号线相互绝缘并交叉限定了多个检测单元;
所述检测单元包括第一光电转换器、薄膜晶体管和第二光电转换器,所述第一光电转换器位于所述薄膜晶体管靠近所述基底的一侧,所述第二光电转换器位于所述薄膜晶体管背离所述基底的一侧,所述第一光电转换器和所述第二光电转换器均与所述薄膜晶体管的源极或漏极相连接;
每个所述检测单元内的所述栅线、所述读取信号线以及所述薄膜晶体管在所述基底上的正投影与所述第二光电转换器在所述基底上的正投影之间存在间隙区域,所述第一光电转换器在所述基底上的正投影至少覆盖所述间隙区域。
优选的,所述平板探测器还包括:位于所述第一光电转换器靠近所述基底一侧的第一偏置电极以及位于所述第一偏置电极和所述第一光电转换器之间的第一绝缘层,所述第一绝缘层具有露出所述第一偏置电极的第一过孔;
所述第一光电转换器包括第一光电转换层、位于所述第一光电转换层靠近所述基底一侧的第一下电极、位于所述第一光电转换层远离所述基底一侧的第一上电极,所述第一下电极经所述第一过孔与所述第一偏置电极相连接;
所述第一上电极远离所述基底的一侧设有第二绝缘层。
优选的,所述第一上电极的材质透明。
优选的,所述薄膜晶体管包括:
形成于所述第二绝缘层远离所述基底一侧的栅极层;
形成于所述栅极层远离所述基底一侧的栅绝缘层;
形成于所述栅绝缘层远离所述基底一侧的有源层;
与所述有源层分别连接的源极和漏极。
优选的,所述平板探测器还包括:位于所述有源层远离所述基底一侧的钝化层,所述钝化层覆盖所述有源层、所述源极和所述漏极;以及,
位于所述钝化层和所述第二光电转换器之间的第三绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





