[实用新型]平板探测器

权利要求书

1.一种平板探测器，包括：基底，所述基底的一侧形成有多条平行的栅线和多条平行的读取信号线，所述栅线和所述读取信号线相互绝缘并交叉限定了多个检测单元，其特征在于，

所述检测单元包括第一光电转换器、薄膜晶体管和第二光电转换器，所述第一光电转换器位于所述薄膜晶体管靠近所述基底的一侧，所述第二光电转换器位于所述薄膜晶体管背离所述基底的一侧，所述第一光电转换器和所述第二光电转换器均与所述薄膜晶体管的源极或漏极相连接；

每个所述检测单元内的所述栅线、所述读取信号线以及所述薄膜晶体管在所述基底上的正投影与所述第二光电转换器在所述基底上的正投影之间存在间隙区域，所述第一光电转换器在所述基底上的正投影至少覆盖所述间隙区域。

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：位于所述第一光电转换器靠近所述基底一侧的第一偏置电极以及位于所述第一偏置电极和所述第一光电转换器之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有露出所述第一偏置电极的第一过孔；

所述第一光电转换器包括第一光电转换层、位于所述第一光电转换层靠近所述基底一侧的第一下电极、位于所述第一光电转换层远离所述基底一侧的第一上电极，所述第一下电极经所述第一过孔与所述第一偏置电极相连接；

所述第一上电极远离所述基底的一侧设有第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述第一上电极的材质透明。

4.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

形成于所述第二绝缘层远离所述基底一侧的栅极层；

形成于所述栅极层远离所述基底一侧的栅绝缘层；

形成于所述栅绝缘层远离所述基底一侧的有源层；

与所述有源层分别连接的源极和漏极。

5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：位于所述有源层远离所述基底一侧的钝化层，所述钝化层覆盖所述有源层、所述源极和所述漏极；以及，

位于所述钝化层和所述第二光电转换器之间的第三绝缘层。

6.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：覆盖所述第二光电转换器的第四绝缘层以及位于所述第二光电转换器远离所述基底一侧的第二偏置电极；

所述第二光电转换器包括第二光电转换层、位于所述第二光电转换层靠近所述基底一侧的第二下电极、位于所述第二光电转换层远离所述基底一侧的第二上电极，所述第四绝缘层上设有露出所述第二上电极的第二过孔，所述第二偏置电极经所述第二过孔与所述第二上电极相连接。

7.根据权利要求4或6所述的平板探测器，其特征在于，所述栅极层、所述有源层、所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影和所述第一光电转换器在所述基底上的正投影不重合。

8.根据权利要求6所述的平板探测器，其特征在于，所述第二下电极的材质透明。

9.根据权利要求1-6、8任一项所述的平板探测器，其特征在于，所述第一光电转换器和所述第二光电转换器为PIN二极管。